書籍信息
•書名電晶體原理
•書號978-7-118-10771-5
•作者郭澎, 張福海, 劉永編
•出版時間2016年4月
•譯者
•版次2版1次
•開本16
•裝幀平裝
•出版基金
•頁數366
•字數473
•中圖分類TN320.1
•叢書名
•定價58.00
內容簡介
本書主要講述雙極型電晶體和場效應電晶體的基本工作原理及其頻率特性、功率特性、開關特性，並描述這些特性的相關參數。講述了新型半導體器件包括最新發明的石墨烯場效應電晶體和常溫單電子電晶體的結構和特性。
為適應計算機輔助設計仿真的需求，書中介紹了半導體器件特別是國產軍品器件創建模型的方法。 本書適合作為“微電子科學與工程” “積體電路設計與集成系統”等專業的本科教材，也適用於“光電子(信息）工程”等相關專業的研究生教材，以及從事微電子、光電子（信息）專業相關工作的科研與工程技術人員閱讀參考。
目錄
第1章半導體物理與工藝概要
1.1晶體結構和能帶結構
1.1.1理想晶體的結構
1.1.2理想晶體的能帶結構
1.1.3晶格振動和雜質原子對半導體性質的影響
1.2半導體中的載流子
1.2.1平衡載流子的統計
1.2.2半導體中的非平衡載流子
1.3載流子的運動
1.3.1漂移運動
1.3.2擴散運動
1.4半導體中的基本控制方程組
1.4.1電流密度方程
1.4.2連續性方程
1.5PN結的電學特性
1.5.1PN結直流伏安特性
1.5.2勢壘電容和擴散電容
1.5.3擊穿特性
1.6基本器件工藝
1.6.1襯底製備和外延生長
1.6.2氧化和光刻
1.6.3擴散與離子注入
習題
參考文獻
第2章電晶體的直流特性
2.1電晶體的基本結構及其雜質分布
2.1.1基本結構
2.1.2電晶體工藝與雜質分布
2.1.3均勻基區電晶體和緩變基區電晶體
2.2電晶體的放大機理
2.2.1電晶體的電流傳輸作用
2.2.2電晶體端電流的組成
2.2.3描述電晶體電流傳輸作用和放大性能的參數
2.2.4電晶體的放大能力
2.3電晶體的直流伏安特性
2.3.1均勻基區電晶體的伏安特性
2.3.2緩變基區電晶體有源放大區的伏安特性
2.4直流電流增益
2.4.1理想電晶體的直流增益
2.4.2影響直流增益的一些因素
2.5反向電流和擊穿電壓
2.5.1反向電流
2.5.2擊穿電壓
2.5.3穿通電壓
2.6基極電阻
2.6.1梳狀電晶體
2.6.2圓形電晶體
2.7特性曲線
2.7.1輸入特性曲線
2.7.2輸出特性曲線
2.7.3電晶體的直流小信號h參數
2.8電晶體模型
2.8.1埃伯斯-莫爾模型
2.8.2電晶體各工作區的模型
習題
參考文獻
第3章電晶體的頻率特性
3.1基本概念
3.1.1電晶體的交流小信號電流增益
3.1.2描述電晶體頻率特性的參數
3.2電流增益的頻率變化關係——截止頻率和特徵頻率
3.2.1交流小信號電流的傳輸過程
3.2.2共基極電流增益和α截止頻率
3.2.3共射極電流增益、β截止頻率和特徵頻率
3.3高頻功率增益和最高振盪頻率
3.3.1電晶體的功率增益
3.3.2電晶體的高頻功率增益
3.4雙極型電晶體的噪聲特性
3.4.1電晶體的噪聲和噪聲係數
3.4.2電晶體的噪聲來源
3.4.3電晶體的噪聲頻譜特性
習題
參考文獻
第4章雙極型電晶體的功率特性
4.1基區大注入效應對電流放大係數的影響
4.1.1大注入下基區少數載流子分布
4.1.2基區電導調製效應
4.1.3基區大注入對電流放大係數的影響
4.1.4大注入對基區渡越時間的影響
4.2基區擴散效應
4.2.1注入電流對集電結空間電荷區電場分布的影響
4.2.2基區擴展效應
4.3發射極電流集邊效應
4.3.1發射極電流的分布
4.3.2發射極有效條寬
4.3.3發射極有效長度
4.4發射極單位周長電流容量
4.4.1集電極最大允許工作電流ICM
4.4.2線電流密度
4.5電晶體最大耗散功率PCM
4.5.1耗散功率和最高結溫
4.5.2熱阻
4.5.3電晶體的最大耗散功率
4.6二次擊穿和安全工作區
4.6.1二次擊穿現象
4.6.2二次擊穿機理及改進措施
4.6.3安全工作區
習題
參考文獻
第5章開關特性
5.1電晶體的開關作用
5.1.1電晶體開關作用的定性分析
5.1.2截止區和飽和區的電荷分布
5.2電晶體的開關過程和開關時間
5.2.1幾個開關時間的定義
5.2.2電荷控制理論
5.2.3延遲過程和延遲時間
5.2.4上升過程與上升時間
5.2.5電荷儲存效應與儲存時間
5.2.6下降過程與下降時間
5.2.7提高開關速度的措施
5.3開關管正向壓降和飽和壓降
5.3.1正向壓降
5.3.2飽和壓降
習題
參考文獻
第6章結型場效應電晶體
6.1結型場效應電晶體（JFET）的基本工作原理
6.1.1JFET的基本結構
6.1.2JFET的基本工作原理
6.1.3JFET的輸出特性和轉移特性
6.1.4肖特基柵場效應電晶體（MESFET）
6.1.5器件的類型和代表符號
6.2JFET的直流參數和低頻小信號交流參數
6.2.1JFET的直流電流—電壓特性
6.2.2JFET的直流參數
6.2.3JFET交流小信號參數
6.2.4溝道雜質任意分布時器件的伏安特性
6.2.5高場遷移率的影響
6.3結型場效應電晶體的頻率特性
6.3.1交流小信號等效電路
6.3.2JFET的頻率參數
6.4結型場效應電晶體結構舉例
6.4.1MESFET
6.4.2JFET
6.4.3V形槽JFET
習題
參考文獻
第7章MOS場效應電晶體
7.1MOSFET的基本工作原理和分類
7.1.1MOSFET的基本結構
7.1.2MOSFET的基本工作原理
7.1.3MOSFET的分類
7.2MOSFET的閾值電壓
7.2.1MOSFET閾值電壓表達式
7.2.2影響MOSFET閾值電壓的諸因素分析
7.3MOSFET的直流特性
7.3.1MOSFET的電流—電壓特性
7.3.2弱反型（亞閾值）區的伏安特性
7.3.3MOSFET的特性曲線
7.3.4MOSFET的直流參數
7.4MOSFET的頻率特性
7.4.1低頻小信號參數
7.4.2交流小信號等效電路
7.4.3MOSFET的高頻特性
7.4.4提高MOSFET頻率特性的途徑
7.5MOSFET的擊穿特性
7.5.1漏源擊穿
7.5.2MOSFET的柵擊穿
7.6MOSFET的功率特性和功率MOSFET的結構
7.6.1MOSFET的功率特性
7.6.2功率MOSFET的結構介紹
7.7MOSFET的開關特性
7.7.1開關作用
7.7.2開關時間
7.8MOSFET的溫度特性
7.8.1遷移率隨溫度的變化
7.8.2閾值電壓與溫度的關係
7.8.3MOSFET幾個主要參數的溫度關係
7.9MOSFET的噪聲特性
7.9.1溝道熱噪聲
7.9.2誘生柵極噪聲
7.9.31f噪聲
7.9.4MOSFET的高頻噪聲係數
7.10MOSFET的短溝道和窄溝道效應
7.10.1閾值電壓的變化
7.10.2漏特性及跨導的變化
7.10.3弱反型區的亞閾值電流
7.10.4長溝道器件的最小溝道長度限制
7.10.5短溝道高性能器件結構舉例
習題
參考文獻
第8章石墨烯場效應電晶體
8.1石墨烯場效應管
8.1.1石墨烯材料
8.1.2石墨烯場效應電晶體
8.1.3石墨烯場效應電晶體的結構
8.1.4石墨烯中載流子濃度的統計分布
8.1.5石墨烯場效應電晶體的電流-電壓特徵
8.1.6石墨烯場效應電晶體頻率特性
8.2單電子電晶體
8.2.1單電子電晶體概述
8.2.2單電子電晶體結構
8.2.3庫侖阻塞現象
8.2.4遂穿機率的分析
8.2.5單電子電晶體的I-U特性
8.2.6單電子電晶體的跨導
8.2.7單電子電晶體的頻率特性
參考文獻
第9章新型半導體器件的仿真模型
9.1仿真模型的研究
9.2半導體器件的SPICE模型
9.2.1SPICE的MOSEFT器件模型
9.2.2SPICE的MOS器件的模型算法
9.2.3理想的MOSFET的模型
9.3新型半導體器件的建模
9.3.1模型的建立
9.3.2確定模型參數
9.3.3模型參數計算最佳化提取
9.3.4MOS（FET）器件模型參數的提取
9.4砷化鎵場效應管模型
9.4.1砷化鎵場效應管模型的建立
9.4.2砷化鎵場效應管的仿真
9.5離子敏感場效應管模型
9.6功率MOSFET模型
9.6.1等效電路結構
9.6.2各部分的建模思路和參數提取
9.7單電子電晶體的模型
9.8Multisim器件模型向PSPICE的轉化
9.8.1Multisim與PSPICE元件庫的比較
9.8.2利用Multisim擴展PSPICE元件模型庫
9.8.3Multisim器件模型向 PSPICE 的轉化
9.9從生產廠下載相似 PSPICE模型
9.10國產軍品半導體器件建模
9.10.1軟體機器人ISIGHT
9.10.2軍工半導體器件建模
9.10.3建模實例
參考文獻"
