簡介
晶體三極體輸出特性曲線這個是電路控制中的說法。在很多自動化設備中，電路最終都需要對一些執行部件（如電機、電磁鐵）實施控制，電路對這些執行部件的控制可通過繼電器、雙向晶閘管、電晶體等開關器件進行，因此對於電路的輸出端來說就有了與之對應的“繼電器輸出、雙向晶閘管輸出、電晶體輸出”等類型。
特性
晶體三極體輸出特性曲線（共發射極）
晶體三極體是由形成二個PN結的三部分半導體組成的，其組成形式有PNP型及NPN型。我國生產的鍺三極體多為PNP型，矽三極體多為NPN型，它們的結構原理是相同的。
三極體有三個區、三個電極。其中基區（三極體中間的一層薄半導體）引出基極b；兩側有發射區引出發射極e及集電區引出集電極c。發射區和基區之間的PN結叫發射結，集電區和基區之間的PN結叫集電結。在電路符號上PNP型管發射極箭頭向里，NPN型管發射極箭頭向外，表示電流方向。
基極電流Ib一定時，晶體三極體的Ic和Uce之間的關係曲線叫做輸出特性曲線。曲線以Ic（mA）為縱坐標，以Uce（V）為橫坐標給出，圖上的點表示了電晶體工作時Ib、Uce、Ic三者的關係，即決定了晶體三極體的工作狀態。從曲線上可以看出，電晶體的工作狀態可分成三個區域。飽和區：Uce很小，Ic很大。集電極和發射極飽和導通，好像被短路了一樣。這時的Uce稱作飽和壓降。此時電晶體的發射結、集電結都處於正向偏置。放大區：在此區域中Ib的很小變化就可引起Ic的較大變化，電晶體工作在這一區域才有放大作用。在此區域Ic幾乎不受Uce控制，曲線也較為平直，此時管子的發射結處於正向偏置，集電結處於反向偏置。截止區：Ib=0，Ic極小，集電極和發射極好像斷路（稱截止），管子的發射結、集電結都處於反向偏置。
