電子阻止本領

電子阻止本領（Electron stopping power）是離子注入技術中的一個術語。 對半導體等襯底進行離子注入時，進入襯底中的較高能量的離子，與襯底中的原子核和電子都將進行一系列的碰撞而損失能量，並最後停留在襯底內，形成一定的分布。這實際上就表明襯底中的原子核和電子都對注入的離子具有阻止作用。其中電子阻止作用的能力大小可用S(E)=dE/dx來表征[E是電子在某點x處的能量]，這就是電子阻止本領。

電子阻止本領（Electron stopping power）是離子注入技術中的一個術語。
對半導體等襯底進行離子注入時，進入襯底中的較高能量的離子，與襯底中的原子核和電子都將進行一系列的碰撞而損失能量，並最後停留在襯底內，形成一定的分布。這實際上就表明襯底中的原子核和電子都對注入的離子具有阻止作用。其中電子阻止作用的能力大小可用S(E)=dE/dx來表征[E是電子在某點x處的能量]，這就是電子阻止本領。S(E)與入射離子的速度成正比，即有S(E)∝E。因此，對於注入能量越高的離子，電子阻止本領也就越大；注入離子的質量越小，電子阻止本領相對於原子核的阻止本領也將越強。