相比 EPROM,EEPROM 不需要用紫外線照射,也不需取下,就可以用特定的電壓,來抹除晶片上的信息,以便寫入新的數據。
EEPROM有四種工作模式:讀取模式、寫入模式、擦拭模式、校驗模式。讀取時,晶片只需要Vcc低電壓(一般+5V)供電。編程寫入時,晶片通過 Vpp(一般+25V)獲得編程電壓,並通過 PGM 編程脈衝(一般50ms)寫入數據。擦拭時,只需使用Vpp高電壓,不需要紫外線,便可以擦拭指定地址的內容。為保證寫入正確,在每寫入一塊數據後,都需要進行類似於讀取的校驗步驟,若錯誤就重新寫入。
由於EEPROM的優秀性能,以及在線上操作的便利,它被廣泛用於需要經常擦拭的BIOS晶片以及快閃記憶體晶片,並逐步替代部分有斷電保留需要的RAM晶片,甚至取代部份的硬碟功能(見SSD)。它與高速 RAM 成為當前(21 世紀 00 年代)最常用且發展最快的兩種儲存技術。
他可以直接利用電氣訊號來更新程式,所以比 EPROM 更方便。
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