這是一個INTEL研製的界面，用來進行高速製圖。製圖數據直接在PC製圖管理器和計算機記憶體之間傳輸，而不需要通過視頻高速緩衝存儲器。
access time（存取時間）:
指的是RAM完成一次讀取的平均時間（十億分之一秒）。存取時間包括地址設立時間和反應時間 (反應時間是指要求數據指令的發出時間和準備存取所用的時間) 。 ANSI (美國國家標準協會) :
美國的負責制定信息技術標準的一個組織。 ASCII (美國信息互動標準代碼) :
一種以二位制編碼編制文本的方式。ASCII編碼系統包含256 組7-bit 或 8-bit 的二進位數字來表示各個鍵。
BACKSIDE BUS（背面底板匯流排）:
在CPU和二級快取之間運行的數據通道。 Bandwidth（頻寬）:
指在電子線路上移動的數據數量，如底版匯流排、每秒等。 頻寬通常以每秒通過的字位數、每秒通過的位元組數或每秒通過的周期數來計算。 Bank(記憶體單元),Bank Schema(記憶體單元歸劃) :
記憶體單元歸劃包括代表記憶體在電腦主機板上插槽的行和列，行指的是獨立的插槽，列代表的是記憶體單元。 Base Rambus（低級RAMBUS）:
第一代RAMBUS技術，首次面市是在1995年。 BGA（Ball Grid Array）:
晶片封裝的一種。使用BGA封裝形式可以減少沖模封裝的尺寸，散熱更容易，記憶體密度更大。 Binary（二進制）:
一種編號方式，用0和1來代表數據。 BIOS (Basic Input-Output System，基本輸入-輸出系統) :
機器準備運行前的開機程式。 Bit（比特）:
指能被計算機識別的最小單位（1或者0） Buffer（緩衝器）:
通過以不同速度操作或按照某種順序進行操作的設備將數據共享的區域。 緩衝器可以使機器在受到其他設備積壓時不會引起操作延遲。 Buffered Memory （帶緩衝記憶體）:
一種帶緩衝器的記憶體。緩衝器可通過記憶體晶片重新驅動信號，並允許記憶體增加晶片。我們不能把帶緩衝記憶體和無緩衝記憶體混為一談，計算機記憶體管理器的設計中有規定記憶體中是否一定帶或不帶緩衝器。 Burst EDO RAM（ 簡稱BEDO，脈衝EDO 隨機存取記憶體）:
EDO 記憶體可以在一個脈衝內處理4個記憶體地址。底板匯流排的速度範圍從50MHz 到 66MHz (和EDO 33MHz 和25MHz for Fast Page Mode相比). Burn-in（老化試驗）:
這個過程主要是在積體電路上使用升高電壓和溫度，這樣加速了晶片的隱藏故障。（若這些晶片比實際使用的晶片還早老化則算失敗，若通過了則比我們所期望的還好。 Burst Mode （觸發/突發模式）:
當處理器需要單個地址時就高速傳輸數據(一系列連續的地址) Bus（匯流排）:
計算機內的一個數據通道，包含CPU、記憶體和所有輸入/輸出裝置連線的各種線路。 Bus Cycle （匯流排周期）:
A single transaction between main memory and the CPU. Byte（ 位元組，由8位位組成）:
一個BYTE等於8個BIT。Byte是電腦程式的基本單位；幾乎所有計算機性能的規範和調節都是用它來計算。參看 kilobytes和megabytes
CAS（列地址選通）:
告訴DRAM接受列地址的信號。同行地址信號一起使用來選擇DRAM的一個位。 CACHE（快速存儲器）:
用於存儲進入信息，加速了後面進入的同樣信息。主要用於處理器和存儲器之間的信息交換。 Cache memory （快取）:
又稱緩衝RAM；在CPU與系統DRAM之間小而高速的存儲設備。設計快取是為處理器提供最常被請求的指令和數據。快取速度大約比系統DRAM速度快3~5倍。 CHIP（晶片）:
支持CPU的一種微型晶片，通常包含若干反映處理器和其他部件之間信息傳遞的控制器 。 CSP（晶片封裝）:
封裝體在與電路板連線時，是以錫球為接腳使基板上的線路與電路板線路相接。 Composite :
蘋果電腦公司對一種記憶體的稱謂，這種記憶體用於舊技術中，包含了更多但比較低密度的晶片。 CPU（中央處理器）:
計算機中翻譯命令和運行程式的最重要晶片。CPU是計算機系統中至關重要的晶片。 Credit card memory（信用卡記憶體）:
一種主要用於膝上型電腦的筆記本電腦的記憶體，信用卡記憶體在小因式中起重要作用，並由於與信用卡大小相似而得名。
DDR（雙倍數據速率存儲器） :
現有SDRAM的下一代，更為先進的加強了速度。這樣，DDR允許在時鐘的上升沿和下降沿讀取數據，傳輸率為標準SDRAM記憶體頻寬的兩倍，DDR本質上將標準的SDRAM頻寬加倍。DDR實際是在不增加時鐘頻率下將SDRAM記憶體速度加倍。 DIMM（雙列直插式存儲器模組）:
以金/錫線互連並帶有存儲設備的印刷電路板。DIMM與SIMM相似但也有很大的不同：SIMM在任意一面的金屬線在電路上都是“系在一起”，而DIMM兩面的線路在電路上是獨立的。 DRAM（動態隨機存取存儲器）:
計算機經常使用的存儲器之一。“動態”表示DRAMs需要經常刷新以保持存儲的信息。
E2PROM（Electrically Erasable PROM，電可擦除唯讀存儲器）
ECC（Error Correction Code，錯誤更正編碼）:
一種檢查DRAM中存儲的完整數據的電子方法。ECC是比奇偶校驗更精細的錯誤探測方法；它能探測多位錯誤也能定位、固定單獨位錯誤。ECC通常在數據每個位元組額外使用3個位(相對奇偶校驗額外增加一位而言)。 EDO（擴充數據輸出）:
它已代替FPM EDO記憶體的存在，在性能上更加比FPM EDO更加完善。 EDO DRAM（Extended Data Out DRAM，擴展數據輸出動態存儲器）:
EDO的讀取方式，縮短了等待輸出地址的時間；它不必等數據讀寫操作完成，只要有效時
間一到就可輸出下一個地址，從而提高了工作效率。 EEPROM（Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory）:
電可擦除可程式唯讀存儲器，EEPROM與DRAM的區分不僅在數據的保存上，還在於工作電壓不同。它的數據可擦除同時還可以再編程。 EPROM（Erasable PROM，可擦可程式唯讀存儲器）
ESD（Electrostatic discharge， 靜電釋放）
ESD很容易破壞半導體產品。
FIT（Failures In Time，即時錯誤）
EOS（SIMM上的ECC）:
IBM設計的一種數據整合檢查技術，在建立於SIMM上的ECC數據整合檢查起重要作用。 Fast-Page Mode （快速頁面模式）:
一種支持對DRAM連續訪問的特性：在提供一次行地址以後，允許任意次對這些開放行的訪問。 FPM DRAM （Fast Page Mode DRAM，快速翻頁動態存儲器）:
若CPU所需的地址在同一行內，在送出行地址後，就可以連續送出列地址，而不必再輸出行地址。一般來講，程式或數據在記憶體中排列的地址是連續的，那么輸出行地址後連續輸出列地址，就可以得到所需數據。這和以前DRAM存取方式相比要先進一些（必須送出行地址、列地址才可讀寫數據）。 Flash Memory（快閃記憶體）:
快閃記憶體是一種穩定的存儲設備，當斷電後仍能保持數據。它與EPROM相似，不過它能直接用電擦除，而EPROM必須用紫外線照射擦除。閃爍存儲器在斷電情況下仍能保持所存儲的數據信息，但是數據刪除不是以單個的位元組為單位而是以固定的區塊為單位。區塊大小一般由256K到20MB。FLASH這個詞最初由東芝因為該晶片的瞬間清除能力而提出。源於EPROM，快閃記憶體晶片價格不高，存儲容量大。快閃記憶體正在成為EPROM的替代品，因為它們很容易被升級。快閃記憶體被用於PCMCIA卡，PCMCIA快閃記憶體盤，其它形式硬碟，嵌入式控制器和SMART MEDIA。如果快閃記憶體或其它相關的衍生技術能夠在一定的時間內清除一個位元組，那將導致永久性的（不易失）RAM的到來。
GND（Ground， 接地）
Gigabit（千兆位）:
大約10億比特：1比特x 1024(即1073741824比特)
