陳建新[中國科學院上海技術物理研究所研究員]

陳建新，男，1968年6月生，1995年於中國科學院上海冶金研究所獲博士學位。曾先後任職於中國科學院上海冶金研究所、瑞士聯邦工學院、朗訊公司貝爾實驗室和普林斯頓大學等科研機構。曾獲國家科技進步三等獎1項，院科技進步三等獎2項，二等獎1項，上海市科技進步三等獎1項，2007年4至2009年9月，在普林斯頓大學工作期間，用分子束外延技術成功實現中紅外負折射率材料並首次實現面發射量子級聯雷射器。2009年10月，全職回國到所工作，目前主要從事新型紅外材料-超晶格探測器材料的研究。現任中國科學院上海技術物理研究所研究員。

基本信息

• 中文名：陳建新
• 出生日期：1968年6月
• 性別：男
• 國籍：中國
• 畢業院校：中國科學院上海微系統與信息技術研究所
• 主要成就：國家科技進步三等獎
  上海市科技進步三等獎
  

科研經歷

1995年7月獲中科院上海微系統與信息技術研究所半導體物理與器件物理專業博士學位。1995年8月-2000年6月在中科院上海微系統與信息技術研究所工作，任助理研究員，副研究員和研究員(98年)。在此工作期間，於1998年成功地研製出量子級聯雷射器材料，這在當時只有2~3世界頂尖實驗室才能做到。2001年11月-2007年3月，在美國新澤西Bell實驗室工作，任半導體物理實驗室研究員(Member of Technical Staff)。在此期間，系統地研究了量子級聯雷射器的材料特性。首次在實驗上證實量子級聯雷射器波導損耗與電子遷移率的依賴關係;並揭示了在不同能級位置的電子深能級對帶間躍遷和子帶躍遷有著不同的影響及其溫度效應，成功地實現連續模式工作溫度達到320K的高性能量子級聯雷射器。從2004年起，轉入高速電子器件的研製。在自行研製化學束外延設備上，成功地發展了一套在離子注入磷化銦襯底上生長具器件質量雙異結電晶體(HBT)的技術，電路的工作頻率達到130GHz以上。07年4至09年9月，在普林斯頓大學工作，任研究員。創建分子束外延中紅外材料實驗室，用分子束外延技術成功實現中紅外負折射率材料並首次實現面發射量子級聯雷射器。09年10月被聘為上海技術物理研究所研究所研究員。正在建立III-V族分子束外延實驗室，建立研究團隊，發展應變超晶格結構的紅外探測與成像材料。

學術成就

於1998年成功地研製出量子級聯雷射器材料，這在當時只有2~3世界頂尖實驗室才能做到。

於2001年11月-2007年3月間，首次在實驗上證實量子級聯雷射器波導損耗與電子遷移率的依賴關係;並揭示了在不同能級位置的電子深能級對帶間躍遷和子帶躍遷有著不同的影響及其溫度效應，成功地實現連續模式工作溫度達到320K的高性能量子級聯雷射器。