簡介
且不需要特殊的製造過程，燒結溫度也不高，約為1000℃~1100℃上下，是一般介電材料難以達到的性質。這些良好的綜合性能，使其有可能成為在高密度能量存儲、薄膜器件（如MEMS、GB-DRAM）、高介電電容器等一系列高新技術領域中獲得廣泛的套用。可是該類材料最大的反常還在於冷卻到100K以下介電常數發生急劇下降（ε≈100），X射線衍射（XRD）、拉曼散射和中子衍射分析表明即使冷卻到35K也沒有觀察到任何長程結構上的相變。XRD分析表明該特性有悖於鐵電性局域極矩合作有序化所作的解釋。以上這些特性至今也沒有令人信服的解釋。所以搞清這類材料的巨介電特性、高的熱穩定性以及在100K以下的反常下降機理具有重要的理論和實用意義。
製備方法
CaCu3Ti4O12材料的製備多採用固相反應法。文獻中報導的CaCu3Ti4O12的合成條件差異很大,溫度從850℃～1000℃,恆溫時間從幾小時至幾十小時。固相反應法的優點是成功率高，但內部缺陷多，對研究內部結構對性能的影響造成一定的困難。也有人採用移動溶劑浮區法以及sol-gel法製備CCTO單晶，但單晶製備一般較難。而CCTO薄膜則多採用雷射沉積法和磁控濺射法。前者成分易於控制，後者有利於大面積制膜。
