概述
Samsung
具體含義解釋：
例：SAMSUNG K4H280838B-TCB0
主要含義
第1位——晶片功能K，代表是記憶體晶片。
第2位——晶片類型4，代表DRAM。
第3位——晶片的更進一步的類型說明，S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM。
第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的記憶體採用不同的刷新速率，也會使用不同的編號。64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容量；28、27、2A代表128Mbit的容量；56、55、57、5A代表256Mbit的容量；51代表512Mbit的容量。
第6、7位——數據線引腳個數，08代表8位數據；16代表16位數據；32代表32位數據；64代表64位數據。
第11位——連線“-”。
第14、15位——晶片的速率，如60為6ns；70為 7ns；7B為7.5ns (CL=3)；7C為7.5ns (CL=2) ；80為 8ns；10 為10ns (66MHz)。
知道了記憶體顆粒編碼主要數位的含義，拿到一個記憶體條後就非常容易計算出它的容量。例如一條三星DDR記憶體，使用18片SAMSUNG K4H280838B-TCB0顆粒封裝。顆粒編號第4、5位“28”代表該顆粒是128Mbits，第6、7位“08”代表該顆粒是8位數據頻寬，這樣我們可以計算出該記憶體條的容量是128Mbits（兆數位） × 16片/8bits=256MB（兆位元組）。
註：“bit”為“數位”，“B”即位元組“byte”，一個位元組為8位則計算時除以8。關於記憶體容量的計算，文中所舉的例子中有兩種情況：一種是非ECC記憶體，每8片8位數據寬度的顆粒就可以組成一條記憶體；另一種ECC記憶體，在每64位數據之後，還增加了8位的ECC校驗碼。通過校驗碼，可以檢測出記憶體數據中的兩位錯誤，糾正一位錯誤。所以在實際計算容量的過程中，不計算校驗位，具有ECC功能的18片顆粒的記憶體條實際容量按16乘。在購買時也可以據此判定18片或者9片記憶體顆粒貼片的記憶體條是ECC記憶體。
Hynix(Hyundai)現代
現代記憶體的含義：
HY5DV641622AT-36
HY XX X XX XX XX X X X X X XX
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1、HY代表是現代的產品
2、記憶體晶片類型：(57=SDRAM，5D=DDR SDRAM)；
3、工作電壓：空白=5V，V=3.3V,U=2.5V
4、晶片容量和刷新速率：16=16Mbits、4K Ref；64=64Mbits、8K Ref；65=64Mbits、4K Ref；128=128Mbits、8K Ref；129=128Mbits、4K Ref；256=256Mbits、16K Ref；257=256Mbits、8K Ref
5、代表晶片輸出的數據位寬：40、80、16、32分別代表4位、8位、16位和32位
6、BANK數量：1、2、3分別代表2個、4個和8個Bank，是2的冪次關係
7、I/O界面：1 :SSTL_3、 2 :SSTL_2
8、晶片核心版本：可以為空白或A、B、C、D等字母，越往後代表核心越新
9、代表功耗：L=低功耗晶片，空白=普通晶片
10、記憶體晶片封裝形式：JC=400mil SOJ，TC=400mil TSOP-Ⅱ，TD=13mm TSOP-Ⅱ，TG=16mm TSOP-Ⅱ
11、工作速度：55 :183MHZ、5 :200MHZ、45 :222MHZ、43 :233MHZ、4 :250MHZ、33 :300NHZ、LDR200、HDR266B、 KDR266A
Infineon（億恆）
Infineon是德國西門子的一個分公司，目前國內市場上西門子的子公司Infineon生產的記憶體顆粒只有兩種容量：容量為128Mbits的顆粒和容量為256Mbits的顆粒。編號中詳細列出了其記憶體的容量、數據寬度。Infineon的記憶體佇列組織管理模式都是每個顆粒由4個Bank組成。所以其記憶體顆粒型號比較少，辨別也是最容易的。
HYB39S128400即128MB/ 4bits，“128”標識的是該顆粒的容量，後三位標識的是該記憶體數據寬度。其它也是如此，如：HYB39S128800即128MB/8bits；HYB39S128160即128MB/16bits；HYB39S256800即256MB/8bits。
Infineon記憶體顆粒工作速率的表示方法是在其型號最後加一短線，然後標上工作速率。
-7.5——表示該記憶體的工作頻率是133MHz；
-8——表示該記憶體的工作頻率是100MHz。
例如：
1條Kingston的記憶體條，採用16片Infineon的HYB39S128400-7.5的記憶體顆粒生產。其容量計算為： 128Mbits（兆數位）×16片/8=256MB（兆位元組）。
1條Ramaxel的記憶體條，採用8片Infineon的HYB39S128800-7.5的記憶體顆粒生產。其容量計算為： 128Mbits（兆數位） × 8 片/8=128MB（兆位元組）。
KINGMAX、kti
KINGMAX記憶體的說明
Kingmax記憶體都是採用TinyBGA封裝（Tiny ball grid array）。並且該封裝模式是專利產品，所以我們看到採用Kingmax顆粒製作的記憶體條全是該廠自己生產。Kingmax記憶體顆粒有兩種容量：64Mbits和128Mbits。在此可以將每種容量系列的記憶體顆粒型號列表出來。
容量備註：
KSVA44T4A0A——64Mbits，16M地址空間 × 4位數據寬度；
KSV884T4A0A——64Mbits，8M地址空間 × 8位數據寬度；
KSV244T4XXX——128Mbits，32M地址空間 × 4位數據寬度；
KSV684T4XXX——128Mbits，16M地址空間 × 8位數據寬度；
KSV864T4XXX——128Mbits，8M 地址空間 × 16位數據寬度。
Kingmax記憶體的工作速率有四種狀態，是在型號後用短線符號隔開標識記憶體的工作速率：
-7A——PC133 /CL=2；
-7——PC133 /CL=3；
-8A——PC100/ CL=2；
-8——PC100 /CL=3。
例如一條Kingmax記憶體條，採用16片KSV884T4A0A-7A 的記憶體顆粒製造，其容量計算為： 64Mbits（兆數位）×16片/8=128MB（兆位元組）。
Micron（美光）
以MT48LC16M8A2TG-75這個編號來說明美光記憶體的編碼規則。
含義：
MT——Micron的廠商名稱。
48——記憶體的類型。48代表SDRAM；46 代表DDR。
LC——供電電壓。LC代表3V；C 代表5V；V 代表2.5V。
16M8——記憶體顆粒容量為128Mbits，計算方法是：16M（地址）×8位數據寬度。
A2——記憶體核心版本號。
TG——封裝方式，TG即TSOP封裝。
-75——記憶體工作速率，-75即133MHz；-65即150MHz。
實例：一條Micron DDR記憶體條，採用18片編號為MT46V32M4-75的顆粒製造。該記憶體支持ECC功能。所以每個Bank是奇數片記憶體顆粒。
其容量計算為：容量32M ×4bit ×16 片/ 8=256MB（兆位元組）。
Winbond（華邦）
含義說明：
W XX XX XX XX
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1、W代表記憶體顆粒是由Winbond生產
2、代表顯存類型：98為SDRAM，94為DDR RAM
3、代表顆粒的版本號：常見的版本號為B和H；
4、代表封裝，H為TSOP封裝，B為BGA封裝，D為LQFP封裝
5、工作頻率:0：10ns、100MHz；8：8ns、125MHz；Z：7.5ns、133MHz；Y：6.7ns、150MHz；6：6ns、166MHz；5：5ns、200MHz
