葉邦角

葉邦角

葉邦角,男,理學博士,教授,1962年生,浙江省平陽縣人,1981年畢業於溫州師範學院物理系,中國科學技術大學物理學院黨委書記、副院長。

基本信息

教育經歷

•1986年-1993年,中國科學技術大學,近代物理系,理學博士。

•1978年-1981年,溫州師範學院,物理系,學士。

工作經歷

現任中國科學技術大學物理學院院黨委書記兼副院長。

•1999年受日本東京大學校長的邀請,擔任東京大學客座教授一年。

•1995年-1996年,日本原子力研究所,高級交流科學家。

•1992年起,歷任中國科技大學講師、副教授、教授。

•1981年-1986年,敖江二中,教師。

學術兼職

•中國核學會理事

•中國核物理學會常務理事

•安徽省核學會常務副理事長

•《原子核物理評論》編委

•《現代物理知識》編委

•《大學物理》編委

•全國高校《電磁學》教學研究會常務理事

研究領域

•原子核物理

•核固體物理

•正電子譜學

•核與粒子探測技術

•核技術套用

•Muon物理及其套用

榮譽獎項

•2012年獲中國科學技術大學首屆“瀚海航塔”——我最喜愛的老師。

•2008年為中國科學技術大學《電磁學》課程講座教授。

•2008年教學成果獲安徽省特等獎。

•2007年獲國務院特殊津貼。

•2006年被評為中國科學技術大學教學名師。

•1993年榮獲中國科學技術大學郭沫若獎學金。

學術成就

葉邦角 葉邦角

長期從事核物理與核技術套用的研究,涉及粒子物理、中子物理、探測技術和正電子物理等領域。主持和參與多項國家自然科學基金面上項目和中國科學院研究項目。

在核物理領域,曾建立了一套測量(n,x)核反應雙微分截面的多路望遠鏡系統,測量了一批聚變堆結構材料的中子核數據,其研究成果全部被國際原子能機構(IAEA)和美國能源部(DOE)收錄,該項成果榮獲安徽省高校科技進步二等獎。

在中子濺射研究中,在國際上首次提出約化濺射產額的概念,並在首次實驗上獲得了(n,2n), (n,p), (n,a)和(n,np)核反應的快中子濺射的系統性規律。

在正電子物理領域,建立並利用慢正電子束和脈衝慢正電子束裝置進行材料微結構的研究。

發表論文

已在國際和國內著名刊物上發表80多篇論文。

Characterizing Native Point Defects in ZnO Bulk by Positron Annihilation Spectroscopy , Materials Science Forum Volume 607,137(2009)

Positron Beam Study of Co Doped ZnO Films Prepared by PLD, Materials Science Forum Volume 607,102(2009)

Slow Positron Beam Probe for the ZnO/Silicone under Proton Irradiation,Materials Science Forum Volume 607,108(2009)

The Calculation of Positron Lifetime in Ni3Al Alloy,Materials Science Forum Volume 607,146(2009)。

Positron Annihilation in Carbon Nanotubes,Materials Science Forum Volume 607,198(2009)。

Tungsten oxide nanostructures growth in HFCVD system by slow positron beam, PPC9, Materials Science Forum Vol. 607, 195, 2009

The influence of filament temperature and oxygen concentration on tungsten oxide nanostructures by hot filament metal oxide deposition, JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS,Volume: 41 Issue: 15 3271-3275 (2008)

Analysis of positron annihilation in carbon allotropes,物理學報,Vol.75,No.5, 3271-3275 (2008)。

Analysis of positron annihilation lifetime in single-walled carbon nanotube bundles;ACTA PHYSICA SINICA 56 (11): 6695-6700 NOV 2007

Influence of GaN polarity and intermediate-temperature buffer layers on strain relaxation and defects;PHYSICA B-CONDENSED MATTER 391 (1): 6-11 MAR 15 2007

1.

Characterizing Native Point Defects in ZnO Bulk by Positron Annihilation Spectroscopy , Materials Science Forum Volume 607,137(2009)

2.

Positron Beam Study of Co Doped ZnO Films Prepared by PLD, Materials Science Forum Volume 607,102(2009)

3.

Slow Positron Beam Probe for the ZnO/Silicone under Proton Irradiation,Materials Science Forum Volume 607,108(2009)

4.

The Calculation of Positron Lifetime in Ni3Al Alloy,Materials Science Forum Volume 607,146(2009)。

5.

Positron Annihilation in Carbon Nanotubes,Materials Science Forum Volume 607,198(2009)。

6.

Tungsten oxide nanostructures growth in HFCVD system by slow positron beam, PPC9, Materials Science Forum Vol. 607, 195, 2009

7.

The influence of filament temperature and oxygen concentration on tungsten oxide nanostructures by hot filament metal oxide deposition, JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS,Volume: 41 Issue: 15 3271-3275 (2008)

8.

Analysis of positron annihilation in carbon allotropes,物理學報,Vol.75,No.5, 3271-3275 (2008)。

9.

Analysis of positron annihilation lifetime in single-walled carbon nanotube bundles;ACTA PHYSICA SINICA 56 (11): 6695-6700 NOV 2007

10.

Influence of GaN polarity and intermediate-temperature buffer layers on strain relaxation and defects;PHYSICA B-CONDENSED MATTER 391 (1): 6-11 MAR 15 2007

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