事件說明
華為p10快閃記憶體門被華為終端寄予厚望的旗艦機型P10系列上市沒多久，就陷入了巨大的爭議之中。先是引起小規模質疑的，再到網友用Androbench軟體測試記憶體讀寫速度，發現華為P10混用eMMc5.1與UFS快閃記憶體。導致華為”P10快閃記憶體門“發生
事件來源
華為p10快閃記憶體門對於這種現象，有業內人士認為，根源在於不同批次生產的P10手機可能分別採用了eMMC和UFS方案，所以導致了快閃記憶體速度差異。而本次華為P10“快閃記憶體門”的問題就在於，同樣是P10手機，有的P10手機採用了eMMC5.1，有的P10手機用了UFS2.0，還有的P10手機用了UFS2.1。而且華為P10在記憶體上也存在縮水的行為，將部分P10手機的LPDDR4記憶體變成了LPDDR3。在這些存儲晶片縮水的情況下，一些P10用戶對手機進行測試，將結果公布在網路上之後持續發酵。
事件結果
2017年4月27日晚間，針對華為手機近期爆出的“快閃記憶體門”，華為消費者業務CEO余承東發布微博稱，“深刻自省，迅速改進”，貼上了一封他發給華為消費者業務全員內部郵件，反思之前的“記憶體事件”。
調查結果
2017年4月28日，深圳市消費者委員會發布對華為P10手機快閃記憶體的調查通報稱，調查結果顯示，華為P10系列手機整機符合出廠標準和國家檢驗標準，未發現批量性質量問題。截至目前，未發現華為P10系列手機存在虛假宣傳和批量性產品質量問題的情況。
