起源
華為P10用戶發布的快閃記憶體測試,速率在200MB—800MB/秒之間不等對於這種現象,有業內人士認為,根源在於不同批次生產的P10手機可能分別採用了eMMC和UFS方案,所以導致了快閃記憶體速度差異。
後續
2017年4月27日晚間,針對華為手機近期爆出的“快閃記憶體門”,華為消費者業務CEO余承東發布微博稱,“深刻自省,迅速改進”,貼上了一封他發給華為消費者業務全員內部郵件,反思之前的“記憶體事件”。
快閃記憶體門是指華為P10“快閃記憶體門”的事件,起源於一些網友在購買P10手機後,經過測試軟體發現華為P10系列手機快閃記憶體速度出現了明顯差異的情況。用戶測試結果顯示,有部分手機的快閃記憶體速度只達到了200+MB/秒。根據一些媒體報導的評測參數和P10用戶測試,速度可以達到800MB/秒左右。
對於這種現象,有業內人士認為,根源在於不同批次生產的P10手機可能分別採用了eMMC和UFS方案,所以導致了快閃記憶體速度差異。
2017年4月27日晚間,針對華為手機近期爆出的“快閃記憶體門”,華為消費者業務CEO余承東發布微博稱,“深刻自省,迅速改進”,貼上了一封他發給華為消費者業務全員內部郵件,反思之前的“記憶體事件”。
P10快閃記憶體門,是指一些網友在購買華為P10手機後,經跑分測試軟體發現產品可能存在性能差異,繼而引發的一起網路爭議事件。 華為P10“快閃記憶體門”起源於一些網...
事件背景 官方態度 事件後續 事件評價華為P10“快閃記憶體門”起源於一些網友在購買P10手機後,經過測試軟體發現華為P10系列手機快閃記憶體速度出現了明顯差異的情況。用戶測試結果顯示,有部分手機的快閃記憶體...
事件說明 事件來源 事件結果 調查結果NAND快閃記憶體是一種比硬碟驅動器更好的存儲方案,這在不超過4GB的低容量套用中表現得猶為明顯。隨著人們持續追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產品,NAND...
目前主機板上的BIOS大多使用Flash Memory製造,翻譯成中文就是"閃動的存儲器",通常把它稱作"快閃記憶體",簡稱"快閃記憶體"。 快閃記憶體盤是一種移動存...
簡介 決定因素 容量識別 供應動態 參數NAND快閃記憶體是一種比硬碟驅動器更好的存儲設備,在不超過4GB的低容量套用中表現得尤為明顯。隨著人們持續追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產品,NAND被...
基本介紹 與NOR快閃記憶體比較 基本操作 連線到處理器 多層單元簡述一些山寨隨身碟案例與隨身碟質量不過關造成的問題,隨身碟門事件造成的影響,對內部管理的一個間接反饋。
隨身碟門事件 假隨身碟事件匯總 隨身碟門事件的影響 假隨身碟生產原理 矽谷真假隨身碟測試軟體基本介紹工作原理NAND快閃記憶體結合了EPROM的高密度和EEPROM結構...擦除。擦除後可重新寫入。EEPROM單元結構快閃記憶體的基本單元電路...或者分塊擦除。隨著半導體技術的改進,快閃記憶體也實現了單電晶體設計,主要就是在...
基本介紹 與NOR快閃記憶體比較 基本操作 連線到處理器 多層單元慧華科技集團遵循內地商務禮儀的習慣,為參加該會議還專門定做了一批卡片隨身碟,正面印製慧華公司logo,背面印製了公司相關信息。主要是配給所有的與會人員。結...
關於假隨身碟門 假隨身碟事件匯總 隨身碟門事件的影響 假隨身碟生產原理 瑞和真假隨身碟測試軟體