人物簡介
1968年畢業於哈爾濱軍事工程學院，博士生導師，國家級有突出貢獻獎中青年專家，華南師範大學光電子材料與技術研究所所長，省優秀歸國留學人員和國家科協授予的全國優秀科技工作者，獲國務院特殊津貼。兼中國光學光電子協會光電器件分會諮詢專家委員會委員、廣東省光學學會常務理事、廣東省LED產業聯盟監事和中國LED半導體照明行業標準組的特邀專家。潛心科研
范教授是國內最先從事氮化鎵藍色LED發光材料研究（1972年起）和MOCVD技術研究（1982年起）的光電子專家。早在1972年，他就開始以氯化物法在藍寶石襯底上生長
1983年，他發表在《發光與顯示》上的“MOCVD法和II-VI族材料的製備”一文為我國最早專門介紹MOCVD法的文章，先後在國內和英國設計組裝了8套MOCVD系統，其中1986年設計建造的II-VI族MOCVD系統獲得中科院科技進步二等獎。
他以訪問學者、副研究員、研究員身份去英國曼徹斯特理工大學和東北威爾斯學院從事II-VI和III-V族化合物光電子材料的MOCVD生長研究工作達六年。在ZnSe藍色雷射材料研究中取得突破性進展，發表的論文被引用數十次。他通過紅外光譜法和質譜法對MOCVD外延的熱分解和澱積反應機理進行了深入研究，研究成果得到英國聯合攻關項目評審專家的表揚和嘉獎。1995年他應南昌大學的校長之邀回國並擔任該校材料科學研究所所長，承擔了國家863計畫氮化鎵藍光LED項目，自己設計和組裝了MOCVD系統，以及組建相關測試及晶片製備實驗室，為南昌大學以後的材料研究工作奠定了良好基礎。
1998年范廣涵教授來華南師範大學後擔任MOCVD實驗室主任,創建光電子材料與技術研究所，擔任光電子材料與技術研究所所長和廣州亮達光電器件有限公司總經理兼總工程師，組建了一支由教授、博士和碩士的科技攻關隊伍，帶領全隊成員努力拚搏，建起國際先進水平的MOCVD實驗室，以及X-射線雙晶衍射、光螢光掃描、霍爾和載流子濃度深度分布測試等分析實驗室。解決了高質量四元系單晶薄膜生長、雙異質結和多量子阱結構的設計與生長、電子阻擋層和布拉格反射器的製備等技術難關。研製出的GaAlInP四元系超高亮度LED技術指標大大超越承擔項目時的要求，已積累了研製超高亮度LED產業化的實際經驗，為高校在“產學研相結合”的科研發展上進行有益的探索。
2002年3月，范教授在英國劍橋大學的MOCVD設備上用自有技術進行了GaN基多量子阱結構的藍光LED外延生長。製備的藍光LED外延片結果達到同年國際先進水平，LED晶片發光功率達4mW以上，平均發光功率達3.7mW。已申請了多項GaN基LED方面發明專利和多項光電子套用產品的專利。目前，范教授積極參與LED標準化和大功率白光LED可靠性的研究。
范教授承擔了國家科技部“2000年國家科技攻關計畫”中的地方重點攻關項目“超高亮度發光二極體和面發光半導體雷射器”，以及省市重大攻關項目多項。曾獲“中科院自然科學一等獎”、“中科院科技進步二等獎”和“江西省科技進步一等獎”等獎勵。
范廣涵教授培養了一批光電子材料與器件領域的博士和碩士和專家，近些年來，負責及參與項目涉及金額達3000多萬元，尤其是2010年結題的粵港關鍵領域重點突破招標項目—發光二極體（LED）外延片材料和生長方法，驗收評定為國際先進。
