自旋FET（1）基本結構和工作原理：
自旋FET是1990年由Datta和A.Das提出來的。其基本結構見圖示，參與導電的是InAlAs/InGaAs異質結形成的高遷移率二維電子氣（2-DEG）；鐵磁電極S和D具有相同的極化方向（即其中電子自旋的取向相同），以注入和收集自旋極化的電子；柵極電場使溝道中高速運動的電子的自旋發生進動或轉動，當自旋變成反平行時即被D極排斥而不導電——D極排斥作用的強弱決定於自旋進動的程度，從而S-D電流受到柵電壓的控制。
（2）長處和套用：①因為自旋FET是通過自旋的翻轉來控制電流的，所以這種工作方法所需要的能量很低，而且速度也很快（比普通FET通過驅趕[耗盡]電子的方法要快得多）。
②這種自旋FET結構促進了自旋電子器件的半導體化，從而可利用先進的微電子工藝技術、可融合自旋電子器件與光電子器件以及發展出新型的光學器件（如超快速開關, 可程式的全自旋電子型微處理器）；並且最終可望把邏輯、存儲和通信等功能融合在一塊晶片上, 成為新型的多功能電子器件。
③發展半導體自旋電子器件可能是開發量子計算機等量子信息機器的切實可行的途徑，因為量子位是相干疊加狀態, 自旋電子量子位（自旋向上和自旋向下的態的疊加狀態）比起基於電子電荷的量子位, 在相干性(維持相干疊加狀態的能力)上可獲得較長的相干時間（由於自旋之間的作用力很弱, 而且是短程力），並且採用n-型半導體可排除空穴自旋的不良影響。
①如何將自旋電流從鐵磁電極S高效率地注入半導體？——這可利用“磁性半導體”來實現，這種半導體可通過較低電壓來控制它在非磁狀態和鐵磁狀態這兩種狀態之間進行轉換（自旋開關），並且可用作為自旋過濾器（讓一種自旋狀態通過, 阻止另一種自旋狀態通過）。但是磁性半導體的製備現在尚不成熟。
②半導體自旋電子器件對磁性半導體的基本要求是：電子的自旋極化狀態在穿越半導體或進入另一種材料時, 要能很好地保持不變, 即自旋極化喪失的速度要慢, 自旋電流的極化要能長時間維持——自旋相干時間要長。這種要求也就
