能量弛豫時間

能量弛豫過程的時間常數就稱為能量弛豫時間，動量弛豫過程的時間常數就稱為動量弛豫時間。 由於動量弛豫和能量弛豫的機理（交換動量和交換能量的散射過程）不一定相同，因此同一個半導體中載流子的動量弛豫時間和能量弛豫時間也不一定相等。 一般，在Si中，動量弛豫時間和能量弛豫時間比較接近，但在GaAs等化合物半導體中則相差較大（動量弛豫時間往往要比能量弛豫時間短得多）。

能量弛豫時間（Energy relaxation time ）：
對於半導體中的載流子而言，在一定的電場作用下，載流子將通過碰撞[散射]而獲得動量和能量，達到一個穩定的狀態；去掉電場後，載流子也將通過碰撞而失去動量和能量，恢復到原來的狀態。這種從一個穩定狀態過渡到另一個穩定狀態的過程即稱為弛豫，存在有動量弛豫和能量弛豫兩種過程。
能量弛豫過程的時間常數就稱為能量弛豫時間，動量弛豫過程的時間常數就稱為動量弛豫時間。能量弛豫過程則往往是通過載流子與光學波聲子的散射、交換能量後來實現的；而動量弛豫過程往往是通過載流子與聲學波聲子的散射[碰撞]、交換動量來實現的。由於動量弛豫和能量弛豫的機理（交換動量和交換能量的散射過程）不一定相同，因此同一個半導體中載流子的動量弛豫時間和能量弛豫時間也不一定相等。一般，在Si中，動量弛豫時間和能量弛豫時間比較接近，但在GaAs等化合物半導體中則相差較大（動量弛豫時間往往要比能量弛豫時間短得多）。半導體中載流子的速度過沖等現象，實際上就是動量弛豫時間遠小於能量弛豫時間所產生的一種效果。