簡介
電晶體耗散功率也稱集電極最大允許耗散功率PCM，是指電晶體參數變化不超過規定允許值時的最大集電極耗散功率。耗散功率與電晶體的最高允許結溫和集電極最大電流有密切關係。矽管的結溫允許值大約為150°C，鍺管的結溫允許值為85°C左右。要保證管子結溫不超過允許值,就必須將產生的熱散發出去.電晶體在使用時，其實際功耗不允許超過PCM值，否則會造成電晶體因過載而損壞。
分類/耗散功率
通常將耗散功率PCM小於1W的電晶體稱為小功率電晶體，PCM等於或大於1W、小於5W的電晶體被稱為中功率電晶體，將PCM等於或大於5W的電晶體稱為大功率電晶體。
原理/耗散功率編輯
如果給電晶體發射結施加正向偏壓，給集電結施加反向偏壓，使電晶體正常工作，那么電源在電晶體總的耗散功率為：.實際使用時，集電極允許耗散功率和散熱條件與工作環境溫度有關,增加散熱片或增加風冷卻,可提高PCM。所以在使用中應特別注意值IC不能過大，散熱條件要好。
耗散功率和電晶體的熱阻有很大的關係.而電晶體的熱阻是表征電晶體散熱能力的一個基本參量,該參量對於大功率電晶體的設計,製造和使用尤為重要.所謂熱阻就是單位耗散功率引起結溫升高的度數，其單位為℃/W。可由下面的公式表示:
耗散功率由熱傳導的途徑，可以把一般電晶體的熱阻分為兩部分，即：
其中的是熱流由管子底座向周圍空氣或其他介質散熱的熱阻，是熱流由集電結至電晶體底座的熱阻。熱阻和電晶體的封裝有很大的關係。
積體電路的熱阻和電晶體的熱阻大至相同.積體電路(IC)的散熱主要有兩個方向，一個是由封裝上表面傳到空氣中，另一個則是由IC向下傳到PCB板上，再由板傳到空氣中。當IC以自然對流方式傳熱時，向上傳的部分很小，而向下傳到板子則占了大部分，以導線腳或是以球連線於板上的方式，其詳細的散熱模式不盡相同。
封裝熱阻的改善手段主要可透過結構設計、材料性質改變以及外加散熱增進裝置三種方式.其中影響最大的加裝散熱器,但這會增加製造成本和複雜性。
設計計算/耗散功率編輯
雙極型電晶體
BJT的總耗散功率為Pc=IeVbe+IcVcb+Icrcs≈IcVcb），並且Pc關係到輸出的最大交流功率Po：Po=(供給電晶體的直流功率Pd)–(電晶體耗散的功率Pc)=[η/(1–η)]Pc∝Pc，即輸出交流功率與電晶體的耗散功率成正比（η=Po/Pd是轉換效率）。電晶體功率的耗散(消耗)即發熱，如果此熱量不能及時散發掉,則將使集電結的結溫Tj升高,這就限制了輸出功率的提高；最高結溫Tjm（一般定為175oC）時所對應的耗散功率即為最大耗散功率Pcm。為了提高Po，就要求提高Pc,但Pc的提高又受到結溫的限制，為使結溫不超過Tjm，就需要減小電晶體的熱阻Rt；最大耗散功率Pcm∝1/Rt。最高結溫Tjm時所對應的最大耗散功率為(Pcms≥Pcm)：穩態時，Pcm=(Tjm–Ta)/Rt；瞬態時，Pcms=(Tjm–Ta)/Rts。
提高PCM的措施，主要是降低熱阻RT和降低環境溫度Ta；同時，電晶體在脈衝和高頻工作時,PC增大,安全工作區擴大，則最大耗散功率增大，輸出功率也相應提高。
MOSFET
其最大輸出功率也要受到器件散熱能力的限制：Pcm=(Tjm–Ta)/Rt，MOSFET的最高結溫Tjm仍然定為175oC,發熱中心是在漏結附近的溝道表面處,則Rt主要是晶片的熱阻(熱阻需要採用計算傳輸線特徵阻抗的方法來求出)。
三極體的耗散功率
三極體耗散功率也稱集 電極最大允許耗散功率PCM，是指三極體參數變化不超過規定允許值時的最大集電極耗散功率。耗散功率與電晶體的最高允許結溫和集電極最大電流有密切關係。矽管的結溫允許值大約為150°C，鍺管的結溫允許值為85°C左右。
要保證管子結溫不超過允許值,就必須將產生的熱散發出去.電晶體在使用時，其實際功耗不允許超過PCM值，否則會造成電晶體因過載而損壞。
通常將耗散功率PCM小於1W的電晶體稱為小功率電晶體，PCM等於或大於1W、小於5W的電晶體被稱為中功率電晶體，將PCM等於或大於5W的電晶體稱為大功率電晶體。
