精拋光過程
精拋光固定：將單晶矽棒固定在加工台上。
切片：將單晶矽棒切成具有精確幾何尺寸的薄矽片。此過程中產生的矽粉採用水
退火：雙工位熱氧化爐經氮氣吹掃後，用紅外加熱至300~500℃，矽片表面和氧氣發生反應，使矽片表面形成二氧化矽保護層。
倒角：將退火的矽片進行修整成圓弧形，防止矽片邊緣破裂及晶格缺陷產生，增加磊晶層及光阻層的平坦度。此過程中產生的矽粉採用水淋，產生廢水和矽渣。
分檔檢測：為保證矽片的規格和質量，對其進行檢測。此處會產生廢品。
研磨：用磨片劑除去切片和輪磨所造的鋸痕及表面損傷層，有效改善單晶矽片的曲度、平坦度與平行度，達到一個拋光過程可以處理的規格。此過程產生廢磨片劑。
清洗：通過有機溶劑的溶解作用，結合超音波清洗技術去除矽片表面的有機雜質。此工序產生有機廢氣和廢有機溶劑。
RCA清洗：通過多道清洗去除矽片表面的顆粒物質和金屬離子。具體工藝流程如下：
SPM清洗：用H2SO4溶液和H2O2溶液按比例配成SPM溶液，SPM溶液具有很強的氧化能力，可將金屬氧化後溶於清洗液，並將有機污染物氧化成CO2和H2O。用SPM清洗矽片可去除矽片表面的有機污物和部分金屬。此工序會產生硫酸霧和廢硫酸。
DHF清洗：用一定濃度的氫氟酸去除矽片表面的自然氧化膜，而附著在自然氧化膜上的金屬也被溶解到清洗液中，同時DHF抑制了氧化膜的形成。此過程產生氟化氫和廢氫氟酸。
APM清洗： APM溶液由一定比例的NH4OH溶液、H2O2溶液組成，矽片表面由於H2O2氧化作用生成氧化膜（約6nm呈親水性），該氧化膜又被NH4OH腐蝕，腐蝕後立即又發生氧化，氧化和腐蝕反覆進行，因此附著在矽片表面的顆粒和金屬也隨腐蝕層而落入清洗液內。此處產生氨氣和廢氨水。
HPM清洗：由HCl溶液和H2O2溶液按一定比例組成的HPM，用於去除矽表面的鈉、鐵、鎂和鋅等金屬污染物。此工序產生氯化氫和廢鹽酸。
DHF清洗：去除上一道工序在矽表面產生的氧化膜。
磨片檢測：檢測經過研磨、RCA清洗後的矽片的質量，不符合要求的則從新進行研磨和RCA清洗。
腐蝕A/B：經切片及研磨等機械加工後，晶片表面受加工應力而形成的損傷層，通常採用化學腐蝕去除。腐蝕A是酸性腐蝕，用混酸溶液去除損傷層，產生氟化氫、NOX和廢混酸；腐蝕B是鹼性腐蝕，用氫氧化鈉溶液去除損傷層，產生廢鹼液。本項目一部分矽片採用腐蝕A，一部分採用腐蝕B。
分檔監測：對矽片進行損傷檢測，存在損傷的矽片重新進行腐蝕。
粗拋光：使用一次研磨劑去除損傷層，一般去除量在10~20um。此處產生粗拋廢液。
精拋光：使用精磨劑改善矽片表面的微粗糙程度，一般去除量1 um以下，從而的到高平坦度矽片。產生精拋廢液。
檢測：檢查矽片是否符合要求，如不符合則從新進行拋光或RCA清洗。
檢測：查看矽片表面是否清潔，表面如不清潔則從新刷洗，直至清潔。
