測量技術發展歷史
隨著精密製造業的發展，對精密測量技術的要求越來越高。位移測量技術作為幾何量精密測量的基礎，不僅需要超高測量精度，而且需要對環境和材料的廣泛適應性，並且逐步趨於實時、無損檢測。與傳統接觸式測量方法相比，共焦感測器具有高速度，高精度，高適應性等明顯優勢。
1940年，眼科醫生HansGoldmann在瑞士伯爾尼發明了裂隙燈系統，用於眼科檢查。這個眼科檢測系統被認為是共焦感測器測量系統的雛形。
1943年，ZyunKoana發表了共焦感測器測量系統設計圖，圖中明確展示了共聚焦測量系統的傳輸光路。
1951年，HirotoNaora,Koana的同事,在科學雜誌撰文描述了共聚焦分光光度法。
1955年，MarvinMinsky製造出了首台共聚焦顯微鏡，並於1957年申請了專利。
1960年，捷克斯洛伐克查爾斯大學醫學專業的MojmírPetráň開發出了首款串聯掃描共聚焦測量系統，被認為是首款商業化的同類系統。
2006年，德國米銥公司推出全球最小直徑共焦感測器探頭，為精密位移測量任務提供了新的選擇。
測量原理
共焦感測器是一種通過光學色散原理建立距離與波長間的對應關係，利用光譜儀解碼光譜信息，從而獲得位置信息的裝置，如圖1所示，白光LED光源發出的光通過光纖耦合器後可以近似看作點光源，經過準直和色散物鏡聚焦後發生光譜色散，在光軸上形成連續的單色光焦點，且每一個單色光焦點到被測物體的距離都不同。當被測物處於測量範圍內某一位置時，只有某一波長的光聚焦在被測面上，該波長的光由於滿足共焦條件，可以從被測物表面反射回光纖耦合器並進入光譜儀，而其他波長的光在被測物面表面處於離焦狀態，反射回的光在光源處的分布遠大於光纖纖芯直徑，所以大部分光線無法進入光譜儀。通過光譜儀解碼得到光強最大處的波長值，從而測得目標對應的距離值。由於採用了共焦技術，因此該方法具有良好的層析特性，提高了分辨力，並且對被測物特性和雜散光不敏感，這就是共焦感測器的測量原理。
結構設計
在共焦感測器系統中，系統的測量範圍受4個方面的因素影響：1）光源光譜分布範圍；2）色散鏡頭在工作波段範圍內的軸向色差；3）光譜儀的工作波段；4）光纖耦合器的工作波段。選擇的白光LED光源的光譜分布如圖2所示，波段400～800nm，所以在設計過程中，色散鏡頭、光譜儀和光纖耦合器的工作波段要儘量與光源的波段一致，最終系統的測量範圍為色散物鏡在其共同工作波段範圍內的軸向色差。
在設計色散鏡頭時，除了要考慮其軸向色差外，還要考慮如下因素：1）增大物方數值孔徑可以提高解析度；2）增大像方數值孔可以提高光源利用率；3）減小系統球差可以提高精度；4）系統結構要易於裝配和調整。
以上這些因素是相互制約的，增大數值孔徑的同時系統球差也隨之變大，如果要校正球差系統，結構就會變得複雜，所以色散鏡頭設計的目的是用最少的透鏡達到最理想的效果。共焦感測器的光學系統可以看成兩個部分，一部分是消色差場鏡，它的焦點在光源處，把點光源準直成平行光，另一部分為色散物鏡，它的作用是把不同波長的平行光聚焦在軸上的不同位置，形成光譜色散，而消色差透鏡和非球面透鏡正好可以起到這樣的作用。本文採用了美國thorlabs公司的消色差和非球面透鏡組合，色散鏡頭設計如圖3所示。並選擇在光源波段範圍內耦合效率較高的光纖耦合器和解析度為0.5nm的光譜儀，具體元件及參數如表1所示。
通過ZEMAX軟體仿真分析，在400～700nm波段色散鏡頭的色散範圍為2.3mm，具體波長與聚焦位置的對應關係如圖4所示。
由於共焦感測器的系統要分析反射回光纖的光譜光強分布情況，所以對共焦過程進行了模擬，在仿真過程中，將平面鏡置於焦面處，使通過光學系統的光經過平面鏡反射後又回到光學系統，並成像在光源位置。通過觀察像面處的點列圖發現，當平面鏡設定在不同波長的焦面處時，聚焦波長在像面處的彌散斑較小，而其他波長的彌散斑較大。
圖5為平面鏡設定在550nm波長焦面處時像面上的點列圖，其中550nm波長的彌散斑直徑為41.4μm，小於光纖纖芯直徑，而400nm波長的彌散斑直徑為2311.46μm，遠大於光纖纖芯直徑。為了更準確地分析光纖纖芯直徑對共焦系統的濾光情況，將光纖端面離散為間距1nm的均勻分布點光源，並假設彌散斑與光纖纖芯重疊的部分為可以進入光纖的光。
圖6為在此條件下計算的平面鏡設定在450，500，550，600，650nm焦面處時，反射回光纖的光譜光強分布。從圖中可以看出光纖纖芯直徑起到了較好的濾光作用，而且隨著波長的變大半高寬變大。分析了不同光纖纖芯直徑情況下反射回光纖的光譜光強分布情況，圖7為對反射鏡設定在550nm焦面處分析的結果，可以看出當光纖纖芯直徑較小時，光譜信號能量較弱，隨著光纖纖芯直徑的增大，光譜信號能量變強但半高寬也變大，解析度下降。設計中必須選取合適的光纖，同時滿足系統的解析度和信噪比要求。
信號數據處理
光譜信息處理的最終目的是為了得到峰值波長，但是光纖耦合器的內部回光、光源光強分布的不均勻、CCD對不同波長光回響程度的不同、系統的噪聲等因素都會對譜峰定位造成影響，需要進行預處理後再用適當的算法提取峰值波長。
在光譜儀中得到的光譜信息包括光纖內部返回的背景光和從被測物表面返回的信號光。為了得到有用的信號光，首先需要對背景光進行採集，然後從光譜儀得到的數據中減去背景光。此外還要考慮光源光譜光強分布不均勻的影響。圖8為在圖6的基礎上加入光源光譜特性後的光譜光強分布圖，從圖中可以看出峰值波長發生了偏移，所以需要對光源光強進行歸一化處理。另外由於感測器在各個環節都會產生隨機噪聲，所以需要進行光譜去噪，常用的光譜去噪方法有中值濾波、小波函式濾波等，比較了不同的濾波方法後，最終選擇了用db6小波進行6次分解強制消噪，因為經過其濾波處理後譜峰定位的重複性較好。
由於光譜儀中CCD像元有一定尺寸，相當於對原始的光譜進行了離散採樣，所以可能會出現漏峰的情況。如果使用原始光譜數據中的最大值作為峰值波長會影響定位的精度，因此需要選用合適的算法對譜峰位置進行確定。質心法是常用的峰值定位算法，適用於處理關於峰值位置對稱的光點信號，質心法公式為
主要參數
德國米銥公司confocalDTIFC2461控制器參數表
IFS2405系列共焦感測器探頭參數
IFS2405系列共焦感測器探頭尺寸
| | 雷射三角反射法位移感測器 | 共焦感測器（色散位移感測器） |
| 遮擋陰影的影響 |  |  光線是從四面八方照射過來的，即使大部分的光線被阻擋，只要有一小部分返回，照樣可以測量，甚至能測量其它方法無法測量的小孔和槽底部。一個光譜共焦感測器可以起4個從不同方向照射的雷射位移感測器的作用。 |
| 透明體和鏡面被測物的影響 |  雷射光斑可能在透明被測物表面發生透射，在被測物內部產生光暈，從而導致雷射位移感測器測量偏差。 另一方面，雷射位移感測器需要光斑在被測物表面形成漫反射，在一個傾斜角度上收集回光。而對於鏡面反射被測物，能夠進入側面收光器的光線很少，可能導致測量困難，需要傾斜安裝或使用鏡面檢測專用雷射位移感測器。 |  半透明材質光斑周圍的漫反射光被小孔阻擋無法返回到光譜分析儀，不會影響測量。 這種方法和全息原理相似，理論上每一束經過小孔返回的光都攜帶了距離信息，透明表面或鏡面也會反射一部分光回去，所以透明材質也可以測量。 採用同軸檢測，發射光和返回光在同一軸線上，避免因全反射導致的回光不足問題。共焦感測器可以用於檢測鏡面被測物。 |
| 鏡面物體大角度測量的影響 |  當鏡面被測物邊沿有很大傾斜角度時（如手機3D玻璃邊沿），雷射三角反射法位移感測器的回光可能發生很大角度的反射，導致側向收光器回光很少，無法測量。 |  在比較大的彎曲或傾斜角度內，只要有一小部分光返回，就可以完成測量任務。不需要傾斜安裝或使用鏡面反射特殊型號位移感測器，減少了感測器品種數和安裝 |
| 光斑大小的影響 |  雷射三角反射式位移感測器只有在聚焦點光斑最小，離開聚焦點後光斑都會變大。對於測量微小結構的測量任務，可能會帶來測量困難。 |  在量程範圍內，測量有效波長的光永遠都在焦點上，可以全量程保持解析度和精度。因此共焦感測器特別適合測量微小几何結構和輪廓變化。 |
適用領域
在3C行業中，共焦感測器被廣泛用於部件尺寸測量，例如3D曲面玻璃，充電插口，SIM卡插槽，鏡頭，螢幕，外殼和各種安裝孔。同時，共焦感測器也常被用於檢測安裝配合度檢測，如手機螢幕與框線貼合程度，SIM卡插槽和外殼貼合程度等。
光刻機行業中，高端設備需要大量位置定位。例如光刻機物鏡姿態定位，移動台定位，晶圓厚度檢測等，都可能用到共焦感測器進行測量。
測量套用案例
3D曲面玻璃形貌尺寸檢測
智慧型手機的同質化一直是整個行業面臨的最大難題之一，自從賈伯斯憑藉著iPhone革了手機的命之後，似乎一夜之間所有手機的外觀都一樣了，偶爾有一些“異類”也迅速被淹沒。但這個行業最不缺的就是勇敢的開拓者和創新者。當前曲面玻璃顯示屏，也常被稱為2.5D或3D玻璃螢幕手機逐漸稱為智慧型手機新熱點。
隨著曲面螢幕手機的推出，如何測量曲面玻璃的弧度，平面度，厚度以及三維輪廓成為業界新的技術難題。德國米銥公司採用共焦感測器，對曲面玻璃螢幕進行測量，達到了良好的效果。
什麼是光譜共焦測量原理呢？
白色光通過一個半透鏡面到達凸透鏡。上述特殊色差就在這裡產生。光線照射到被測物體後發生反射,透過凸透鏡，返回到感測器探頭內的半透鏡上。半透鏡將反射光折射到一個穿孔蓋板上，小孔只允許聚焦最好的反射光通過。透過穿孔蓋板的光是一組模糊光譜，也就是說若干不同波長的光都有可能穿過小孔照在CCD感光矩陣單元上。但是只有在被測物體上聚焦的反射光擁有足夠光強，在CCD感光矩陣上產生一個明顯的波峰。
在穿孔蓋板後面，需要一個分光器測量反射光的顏色信息。分光器類似一個特製光柵，可以根據反射光的波長，增強或減弱折射率。因此，CCD矩陣上的每一個位置，對應一個測量物體到探頭的距離。在整個量程上，共可以得到超過30,000個測量點。
這裡只計算光線波長，用以產生測量信號。反射光產生的信號波峰振幅並不在信號測量依據之內。也就是說反射光的光強不會影響測量結果。這意味著，無論有多少反射光從被測物體反射回來，測量的距離結果可能是不變的。因為反射光的光強僅僅取決於反射物體的反光程度。因此，採用德國米銥公司的共焦感測器，即使被測物體是強吸光材料，如黑色橡膠；或者是透明材料，如玻璃或者液體，都可以進行正常可靠的測量。
與雷射三角反射式位移感測器相比，採用共焦感測器測量曲面玻璃的優勢：
1）由於共焦感測器採用分析光譜成分對應距離變化的原理，相比雷射三角反射式感測器通過反射光斑在CCD上的位置換算距離變化的原理，共焦感測器測量結果更加穩定，解析度和線性度更好。實際的測量項目中，採用米銥共焦感測器後，整個測量機台的重複性甚至可達亞微米級別。
2）對於曲面玻璃邊沿較大角度的位置，共焦感測器可以獲得更大可測量區域。
3）雷射三角反射式感測器更加適合測量漫反射被測物。而對於鏡面反射的曲面玻璃，同軸測量原理的共焦感測器更加適用。
4）共焦感測器的測量光斑更小，測量頻率更高，適合快速捕捉微小結構的位置變化。
共焦感測器在光刻機中的套用
光刻機的生產集中了光學，機械製造，電子信息，軟體工程等多種精密性和高技術性科學，能夠生產光刻機的廠商也不多。目前，全球市場上能夠實現大規模工業化生產的高端投影式光刻機設備廠商有ASML，Nikon，Canon，其中ASML以良好的技術優勢占據了高端光刻機市場的60%以上份額，設備的價格折合人民幣在1000萬元以上。而科研和生產線用的中端和低端光刻機品牌有德國SUSS,美國MYCRONXQ等國外品牌和韓國台灣品牌，人民幣價格分布在幾十萬至幾百萬之間。
光刻機是將積體電路等電路圖型投影到不同基片表面的設備。在半導體積體電路，半導體封裝，平板顯示器如LED螢幕，等離子螢幕，以及太陽能電池等生產中是工藝的核心設備。其製作難度高，精度要求嚴格，密集高端技術的重要設備
光刻工藝流程:
包括掩膜台系統、掩膜輸送系統、投影物鏡系統、矽片傳輸系統、調平調焦系統以及工件台系統在內的諸多機構均需要極高的定位精度、快速的測量頻率和穩定的測量結果。德國米銥公司精密位移感測器因其出眾的產品性能，一直被廣泛套用於光刻機的生產製造環節。
德國米銥公司提供的共焦感測器，根據客戶實際使用需求量身定製，滿足客戶對掃描頻率，精度，同步和外形尺寸等一系列特殊要求。目前已經被廣泛使用在國際高端光刻機設備中，用於核心部件的定位和調整。
作為積體電路產業的核心裝備，有人稱光刻機為“人類最精密複雜的機器”。
日前，清華大學召開了“光刻機雙工件台系統樣機研發”項目驗收會，專家組對項目任務完成情況予以高度評價，並一致同意該項目通過驗收。
工件台系統是光刻機的重要子系統，工件台系統的運行速度、加速度、系統穩定性和系統的定位建立時間對光刻機的生產精度和效率起著至關重要的作用。本次“光刻機雙工件台系統樣機研發”項目驗收，標誌中國在雙工件台系統上取得技術突破，但這僅僅是實現光刻機國產化萬里長征的一部分，距離打破ASML的技術壟斷還有很長的路要走。
這次會議由國家科技重大專項“極大規模積體電路製造裝備及成套工藝”（核高基02專項）實施管理辦公室組織召開，清華大學副校長薛其坤院士出席。
中外光刻機的巨大差距
光刻機被業界譽為積體電路產業皇冠上的明珠，研發的技術門檻和資金門檻非常高。也正是因此，能生產高端光刻機的廠商非常少，到最先進的14nm光刻機就只剩下ASML，日本佳能和尼康已經基本放棄第六代EUV光刻機的研發。
目前，光刻機領域的龍頭老大是荷蘭ASML，並已經占據了高達80%的市場份額，壟斷了高端光刻機市場——最先進的EUV光刻機售價曾高達1億美元一台，且全球僅僅ASML能夠生產。Intel、台積電、三星都是它的股東，重金供養ASML，並且有技術人員駐廠，Intel、三星的14nm光刻機都是買自ASML，格羅方德、聯電以及中芯國際等晶圓廠的光刻機主要也是來自ASML。
相比之下，國內光刻機廠商則顯得非常寒酸，處於技術領先的上海微電子裝備有限公司已量產的光刻機中性能最好的是90nm光刻機，製程上的差距就很大……國內晶圓廠所需的高端光刻機完全依賴進口。
這不僅使國內晶圓廠要耗費巨資購買設備，對產業發展和自主技術的成長也帶來很大不利影響——ASML在向國內晶圓廠出售光刻機時有保留條款，那就是禁止用ASML出售給國內的光刻機給國內自主CPU做代工——只要中芯國際、華力微等晶圓廠採購的ASML光刻機，雖然不影響給ARM晶片做代工，但卻不可能給龍芯、申威等自主CPU做代工、商業化量產。即便是用於科研和國防領域的小批量生產，也存在一定風險——採用陶瓷加固封裝、專供軍用的龍芯3A1500和在黨政軍市場使用的龍芯3A2000，只能是小批量生產，而且在宣傳上也只能含糊其辭的說明是境內流片……這很大程度上影響了自主技術和中國積體電路產業的發展。
光刻機工作原理和組成
光刻機通過一系列的光源能量、形狀控制手段，將光束透射過畫著線路圖的掩模，經物鏡補償各種光學誤差，將線路圖成比例縮小後映射到矽片上，不同光刻機的成像比例不同，有5:1，也有4:1。然後使用化學方法顯影，得到刻在矽片上的電路圖（即晶片）。
一般的光刻工藝要經歷矽片表面清洗烘乾、塗底、旋塗光刻膠、軟烘、對準曝光、後烘、顯影、硬烘、雷射刻蝕等工序。經過一次光刻的晶片可以繼續塗膠、曝光。越複雜的晶片，線路圖的層數越多，也需要更精密的曝光控制過程。現在最先進的晶片有30多層。
上圖是一張ASML光刻機的簡易工作原理圖。下面，簡單介紹一下圖中各設備的作用。
測量台、曝光台：承載矽片的工作檯，也就是本次所說的雙工作檯。一般的光刻機需要先測量，再曝光，只需一個工作檯，而ASML有個專利，有兩個工作檯，實現測量與曝光同時進行。而本次“光刻機雙工件台系統樣機研發”項目則是在技術上突破ASML對雙工件台系統的技術壟斷。
雷射器：也就是光源，光刻機核心設備之一，之前已經介紹過了。
光束矯正器：矯正光束入射方向，讓雷射束儘量平行。
能量控制器：控制最終照射到矽片上的能量，曝光不足或過足都會嚴重影響成像質量。
光束形狀設定：設定光束為圓型、環型等不同形狀，不同的光束狀態有不同的光學特性。
遮光器：在不需要曝光的時候，阻止光束照射到矽片。
能量探測器：檢測光束最終入射能量是否符合曝光要求，並反饋給能量控制器進行調整。
掩模版：一塊在內部刻著線路設計圖的玻璃板，貴的要數十萬美元。
掩膜台：承載掩模版運動的設備，運動控制精度是nm級的。
物鏡：物鏡由20多塊鏡片組成，主要作用是把掩膜版上的電路圖按比例縮小，再被雷射映射的矽片上，並且物鏡還要補償各種光學誤差。技術難度就在於物鏡的設計難度大，精度的要求高。
矽片：用矽晶製成的圓片。矽片有多種尺寸，尺寸越大，產率越高。題外話，由於矽片是圓的，所以需要在矽片上剪一個缺口來確認矽片的坐標系，根據缺口的形狀不同分為兩種，分別叫flat、notch。
內部封閉框架、減振器：將工作檯與外部環境隔離，保持水平，減少外界振動干擾，並維持穩定的溫度、壓力。
光刻機雙工件台系統樣機的意義
雙工件台
過去，光刻機只有一個工作檯，所有流程都在一個工作檯上完成。雙工件台系統的出現，使得光刻機能夠在不改變初始速度和加速度的條件下，當一個工作檯在進行曝光工作的同時，另外一個工作檯可以同時進行曝光之前的預對準工作，使得光刻機的生產效率提高大約35%——ASML的TWINSCANNXE3300B型光刻機，解析度小於22nm，生產效率可以達到125片/小時。
雖然看起來僅僅是加一個工作檯，但技術難度卻不容小覷——對換台的速度和精度有非常高的要求，如果換台速度慢，則影響光刻機工作效率；如果換台精度不夠，則可能因此而影響了後續掃描光刻等步驟的正常開展。
特別是對浸沒式光刻機而言，由於物鏡和矽片之間增加一層特殊的液體，如何使液體在換台時依舊停留在物鏡和矽片之間，不因換台發生流動，則是一個不小的技術難題。另外，還有避免污染的問題。
現今技術成熟的雙工件台系統主要是導軌式，驅動方式主要分為氣浮驅動和磁懸浮驅動。目前，ASML公司已成功研發了磁懸浮工件台系統，使得系統能夠忽略摩擦係數和阻尼係數，其加工速度和精度是機械式和氣浮式工件台所無法比擬的。不僅如此，ASML公司基於磁懸浮工件台的基礎，研發了無導軌式的平面編碼磁懸浮工件台系統，通過平面編碼器對工作檯進行精確定位，進一步提升了精度。
誠然，由於α光刻樣機採用雙工件台系統的具體技術細節還未披露，筆者也無從了解α光刻樣機採用雙工件台系統的定位精度、工件台和掩膜台之間的同步誤差等數據，以及是氣浮驅動和磁懸浮驅動，更無從了解α光刻樣機採用雙工件台系統是否能達到ASML公司的技術水平。不過，α光刻樣機採用雙工件台系統已獲得專利授權122項，而且專家組認為，該雙工件台系統的關鍵技術指標已達到國際同類光刻機雙工件台水平。
光刻機的種類和歷代改進
光刻機用途廣泛，除了高端大氣上檔次的前道光刻機之外，還有用於LED製造領域投影光刻機和用於晶片封裝的後道光刻機，雖然在前道光刻機上國內廠商和ASML差距如同鴻溝，但後道光刻機和封裝光刻機國內廠商不僅都能製造，還占據了不低的市場份額。
因此，筆者在這裡只介紹技術含金量最高的前道光刻機。前道光刻機經歷了六代改進：
第一代是接觸式光刻機。光刻機是掩模直接貼在矽片上曝光的，類似與投影，會造成較大的污染。
第二代是接近式光刻機。對接觸式光刻機進行了改良，掩模和矽片之間留了點空隙，但成像不好。
第三代是全矽片掃描投影式光刻機。光刻機改良了掃描投影模式，並加入了物鏡，進行光學矯正。
第四代是反射掃描攝影式光刻機。
第五代是步進式掃描投影式光刻機。顧名思義，就是採用了步進式掃描投影。
第六代就是EUV。EUV還使用反射鏡取代了投射鏡，還使用了極紫外光源，EU這倆字母就是極紫外的縮寫，波長是13.5nm。因為用波長極短，很容易被任何東西吸收，包括空氣，所以腔體內是真空系統。ASML研發EUV花了十來年時間，數百億美元，可知其技術難度。EUV光刻機的售價曾為1億美元一台。
光源、物鏡目前還無法完全擺脫進口依賴
光源是光刻機的核心部件之一。在光刻機改進中，所使用的光源也不斷改進發展：
第一代是436nmg-line。
第二代是365nmi-line。
第三代是248nmKrF。
第四代是193nmArF。
最新的是13.5nmEUV。
目前，在積體電路產業使用的中高端光刻機採用的是193nmArF光源和13.5nmEUV光源。
193nmArF也被稱為申紫外光源。使用193nmArF光源的乾法光刻機，其光刻工藝節點可達45nm，採用浸沒式光刻、光學鄰近效應矯正等技術後，其極限光刻工藝節點可達28nm。
浸沒式光刻是指在物鏡和矽片之間增加一層特殊的液體，由於液體的折射率比空氣的折射率高，因此成像精度更高。因此，也就有了浸沒式光刻的叫法。
而當工藝尺寸縮小到22nm時，則必須採用輔助的兩次圖形曝光技術。然而使用兩次圖形曝光，會帶來兩大問題:一個是光刻加掩模的成本迅速上升，另一個是工藝的循環周期延長。因而，在22nm的工藝節點，光刻機處於EUV與ArF兩種光源共存的狀態。
對於使用液浸式光刻+兩次圖形曝光的ArF光刻機，工藝節點的極限是10nm，之後將很難持續。EUV光刻機，則有可能使工藝製程繼續延伸到5nm。
中國在雷射技術上頗有成就，國內有的單位用汞燈做光源，還由單位研發出了獨一無二的固態深紫外光源，但目前，固態深紫外光源還並未用於光刻機製造，在光源上還無法徹底擺脫進口。在物鏡方面，雖然國防科大精密工程創新團隊自主研製的磁流變和離子束兩種超精拋光裝備，實現了光學零件加工的納米精度。但浸沒式光刻物鏡異常複雜，涵蓋了光學、機械、計算機、電子學等多個學科領域最前沿，二十餘枚鏡片的初始結構設計難度極大——不僅要控制物鏡波像差，更要全面控制物鏡系統的偏振像差。因此，在現階段國內物鏡也無法完全替代進口產品。
據了解，光源和物鏡同屬核高基02專項重點公關項目之一，相信不久以後會有好訊息。
本次“光刻機雙工件台系統樣機研發”項目僅僅是核高基02專項的一部分，而且很有可能是第一個通過核高基02專項驗收的項目。相對於中科院光電技術研究所研製的紫外納米壓印光刻機，本次的技術突破——“光刻機雙工件台系統”則是用於65nm前道光刻機的一項關鍵技術。雖然在技術上而言，65nm光刻機與ASML的差距依然巨大，但卻是中國光刻機實現國產化替代萬里長征的第一步。
作為光刻機巨頭ASML長期戰略合作夥伴的德國米銥公司，以其超高精度和穩定性的位移感測器，為光刻機內部諸多定位需求提供量身定製的解決方案。在過去的半個世紀裡，德國米銥公司一直秉承最高工藝水平和業界標準，不斷追求自我挑戰，將非接觸精密測量領域的技術不斷向前推進。
