積累層

當多數載流子從表面注入半導體，且這些額外的多數載流子充當空間電荷時，形成積累層。 半導體表面附近多數載流子濃度大大增高的一個薄層即稱為積累層。 對於處於負電阻狀態下的半導體（如轉移電子器件中的情況），其中多數載流子濃度的局部漲落將會導致多數載流子的大量積累，這也形成積累層；利用積累層的渡越可以產生微波振盪，這是轉移電子器件的一種工作模式。

accumulation layer
當多數載流子從表面注入半導體，且這些額外的多數載流子充當空間電荷時，形成積累層。
改正和補充：
半導體表面附近多數載流子濃度大大增高的一個薄層即稱為積累層。這一層的導電性比體內要好得多。注意，積累層可採用外電場感應而形成（就像形成反型層——溝道一樣），不能注入載流子來形成（因為多數載流子一般是不能注入的）。例如，在Nwell上加上一個方向朝下的正電場，則這個正電場會把電子吸引到Nwell上表面，在Nwell上表面的電子積累，即為電子的積累層。
對於處於負電阻狀態下的半導體（如轉移電子器件中的情況），其中多數載流子濃度的局部漲落將會導致多數載流子的大量積累，這也形成積累層；利用積累層的渡越可以產生微波振盪，這是轉移電子器件的一種工作模式。