硒化銦

硒化銦是一種Ⅲ-Ⅵ族化合物，具有不同的化學組成，其中研究最多的是InSe和In2Se3。In2Se3是一種N型半導體化合物，可以套用於光電轉化、光催化、電子器件等領域。2016年11月，曼徹斯特大學和諾丁漢大學的研究人員合成納米級超薄硒化銦。

基本信息

• 中文名稱：硒化銦
• 外文名：indium selenide
• 別名：diindium triselenide
• 化學式：In2Se3
• CAS號：12056-07-4
• 外觀：藍色鱗片狀晶體
• 密度：5.78g/mL （15℃）
• 熔點：667℃

• 分子量：466.516
• EINECS：235-016-9
• 套用：半導體材料
• 安全性描述：S26 S36
• 危險性符號：R20/21/22 R36/37/38

物質結構

硒化銦

通過In-Te熔融體的X射線衍射研究指出有六種二元化合物，In4Te3、InTe、In3Te4、In2Te3、In3Te5、In2Te5。其中研究最多的是InSe和In2Se3。
In2Se3主要包括α、β、γ、δ和κ五種晶體結構。

理化性質

α-In2Te3和γ-In2Te3在室溫下能夠穩定存在，它們的帶隙值分別為1.2-1.3eV和1.9-2.3eV。

製備方法

單晶硒化銦可以用Bridgman–Stockberger法製備，以一定比例的硒單質和銦單質為原料，在管式爐中高溫長時反應，能製得硒化銦的每種化合物。
In2Te3的水熱法合成研究較晚，將抗壞血酸在60℃條件下溶於乙醇溶液中，然後加入InCl3和Se粉，裝入反應釜中後在220℃高溫下保持20小時，得到了直徑為2-4μm的花狀γ-In2Te3球體。

研究進展

2016年11月，曼徹斯特大學和諾丁漢大學的研究人員合成納米級超薄硒化銦，僅有幾層原子的厚度，並表現出優於矽的半導體性能，是未來替代矽製作電子晶片的理想材料。