砷化鎵雷射器

"和所有半導體雷射器一樣還具有體積小，耗能少和壽命長的優點 。 用半導體材料作為雷射工作物質的雷射器稱為半導體雷射器，P－N結電注入型半導體雷射器又稱為雷射二級管(Diode)

它具有近紅外高重複頻率和峰值功率較高的特點。和所有半導體雷射器一樣還具有體積小，耗能少和壽命長的優點 。可用於光信息傳輸和信息處理，以及雷射測距等

工作原理

用半導體材料作為雷射工作物質的雷射器稱為半導體雷射器，P－N結電注入型半導體雷射器又稱為雷射二級管(Diode),或LD。半導體材料可以是兩元、三元或多元化合物，其結構可以是同質結或單異質結(SHL),雙異質結(DHL)等，還可以將單管LD組成陣列式(array)或層疊式(stack)以增大輸出。激勵方式除P－N結電注入外，還有電子束激勵，光激勵和雪崩擊穿等方式。通常僅指明工作物質的元素，來區分不同的半導體雷射器

相關標準

GB/T15167-1994 半導體雷射光源總規範
SJ/T2749-1987 半導體雷射二極體測試方法