電阻率大於1×10^7Ω·cm的砷化鎵單晶。最早使用摻入鉻、氧等深受主雜質補償矽等淺施主來生長半絕緣單位，現在主要使用高壓單晶爐用熱解坩堝由砷、鎵直接合成非摻雜電子遷移率半絕緣單晶。為高速、高頻器件及電路、光電積體電路的重要襯底材料。也可以用作二氧化碳雷射器的耦合輸出視窗。
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