任韌，短脈寬XeCl雷射器的實現
中國雷射 任 韌
中國雷射 2004年 31卷 9期 ( pp:1036-1040)
短脈寬XeCl雷射器的實現及光脈衝參數的測量
Study on Short Pulse Width XeCl Laser
任韌 陳長樂 徐進 袁孝 金克新 王永倉 宋宙模 魏炳波
摘 要:
研究了高氣壓短脈寬XeCl準分子雷射器的設計、製作和雷射參數測試。在大體積高氣壓下,採用同步紫外預電離產生輝光放電方法,結合雷射器物理設計、電路、光學系統設計,調整氣體配比、氣壓、放電電壓,在氣體配比為HCl:Xe:He=0.1%:1%:98.9%下,實現了納秒放電激勵的紫外308 nm準分子雷射激射,脈衝能量530 mJ,最小脈衝寬度13 ns,矩形光斑2 cm×1 cm,束散角3 Mrad,最高重複頻率5 Hz,並總結了實驗規律。
關鍵字: 雷射技術 準分子雷射 納秒放電 預電離 輝光放電
Abstract:
A high pressure, short pulse duration XeCl laser was fabricated, and laser parameters were measured. Aiming at large volume and high gas pressure, the laser system adopted the ultraviolet preionization to produce glow discharge. The result was that the nano-second (ns) discharge pumped 308 nm excimer laser was realized in proportion of HCl:Xe:He=0.1%:1%:98.9% with the output pulse energy of 530 mJ and the minimal pulse duration of 13 ns. The rectangle facula is 2 cm×1 cm, the beam divergence is 3 mrad, and the maximal repetition frequency is 5 Hz.
Keywords: laser technique excimer laser nanosecond discharge preionization glow discharge
中圖分類號: TN 248.2+2
所屬欄目: 雷射器件
基金項目: 國家自然科學基金(No.60171043)和陝西省自然科學基金(No.2001C21)資助項目。
收稿日期: 2003-7-31
修改稿日期: 2003-7-31
作者單位:查看
任韌:西安交通大學1理學院,3生物醫學工程所, 陝西 西安 710049西北工業大學套用物理系,陝西 西安 710072
陳長樂:西北工業大學套用物理系,陝西 西安 710072
聯繫人作者:任韌
作者簡介:任韌，（1960年）男,西安交通大學博士,教師，主要從事大功率雷射技術、半導體雷射、雷射分子束外延、脈衝雷射沉積和光電子技術研究。
引用該論文: 任韌,陳長樂,徐進,袁孝,金克新,王永倉,宋宙模,魏炳波. 短脈寬XeCl雷射器的實現及光脈衝參數的測量[J]. 中國雷射, 2004, 31(9): 1036～1040
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