隧穿渡越時間二極體

隧穿渡越時間二極體，TUNNETT diode（Tunn Time

隧穿渡越時間二極體，TUNNETT diode（Tunnel Transit Time Diode）：

隧穿渡越時間二極體

這是在IMPATT二極體基礎上發展起來的一種微波有源器件，它與IMPATT二極體的不同點即在於載流子是通過量子隧道效應注入的，而不是雪崩倍增產生的。
工作原理：見圖示，對於IMPATT二極體，當加有較大的反向偏壓時，能帶即傾斜，使得電子勢壘升高、並減薄；如果是mm波器件，則漂移區很薄，則p區滿帶中的電子，可以通過隧道效應注入到漂移區的導帶。從而在注入相位延遲和渡越時間延遲的共同作用下，即可產生微波振盪。
TUNNETT二極體由於隧道注入過程所造成的相位延遲比較小，則呈現出的交流負阻也比較小，從而輸出功率和轉換效率都比較低；但是它不存在有雪崩倍增現象，故噪聲很抵。