氮化鋁膜

氮化鋁膜是指用氣相沉積、液相沉積、表面轉化或其它表面技術製備的氮化鋁覆蓋層。氮化鋁(AIN)是AI-N二元系中唯一穩定的相，它具有共價鍵、六方纖鋅礦結構，在常壓下不能熔化，而是在2500K分解它的直接能帶間隙高達6.2eV，也可以通過摻雜成為寬頻隙半導體材料。

簡介

氮化鋁膜是指用氣相沉積、液相沉積、表面轉化或其它表面技術製備的氮化鋁覆蓋層 。

特徵

氮化鋁(AIN)是AI-N二元系中唯一穩定的相，它具有共價鍵、六方纖鋅礦結構，在常壓下不能熔化，而是在2500K分解它的直接能帶間隙高達6.2eV，也可以通過摻雜成為寬頻隙半導體材料。氮化鋁的電阻率較高,熱膨脹係數低，硬度高，化學穩定性好但與一般絕緣體不同，它的熱導率也很高。氮化鋁在整個可見光和紅外頻段都具有很高的光學透射率。

套用

氮化鋁膜在微電子和光電子器件、襯底材料、絕緣層材料、封裝材料上有著十分廣闊的套用前景。由於它的聲表面波速度高，巨有壓電性，可用作聲表面波器件。此外，氮化鋁還具有良好的耐磨損和耐腐蝕性能，可用作防護膜 。

製備方法

氮化鋁膜最早用化學氣相沉積(CVI)製備，其沉積溫度高達1000攝氏度以上。後來，通過採用電漿增強化學氣相沉積，或用物理氣相沉積((PVD)方法，其沉積溫度逐步降到500攝氏度以下、甚至可以在接近室溫條件下沉積。

特性

大多數氮化鋁膜為多晶，但已在藍寶石基材上成功地外延生長製成單晶氮化鋁膜。此外，也曾沉積出非晶氮化鋁膜 。