氮化矽磚

密度3.19g/cm3。 1200℃下導熱率18.4W/(m·K)。 室溫電阻率1.1×1014Ω·m。

silicon nitride brick
以Si3N4為主要成分的特殊耐火材料製品。密度3.19g/cm3。膨脹係數小，為2.53×10-6/℃。1200℃下導熱率18.4W/(m·K)。熱穩定性好，1200～2000℃熱交換上千次不破壞。抗折強度可達200～700MPa，耐氧化溫度1400℃，在還原氣氛中可達1870℃。室溫電阻率1.1×1014Ω·m。採用矽粉氮化後燒結或熱壓方法製取。用於航空、冶金、機械、半導體等工業中製造高溫軸承、冶金坩堝、半導體區域熔煉舟器等。