內容簡介
《模擬積體電路的分析與設計(第4版)(翻譯版)》介紹模擬積體電路的分析與設計。全面闡述了模擬積體電路的基本原理和概念，同時還闡述了模擬積體電路的新技術和新全書共十二章。
本書前七章介紹了積體電路放大器件模型，雙極型、MOS和BiCMOS積體電路技術，單級放大器與多級放大器，鏡像電流源、有源負載和基準源，輸出級，單端輸出的運算放大器以及積體電路的頻率呼應第八、九章介紹了反饋，反饋放大器的頻率呼應和穩定性，第十章至十二章介紹了非線性模擬電路，積體電路的噪聲和全差分運算廣大器。
《模擬積體電路的分析與設計(第4版)(翻譯版)》是現代模擬積體電路分析與設計的教材或參考書。既可以作為研究生或高年級本科生的教科書，也可作 套用工程的參考書，同時又是一本比較全面、系統的模擬積體電路方面的專著。
作者簡介
作者：（美國）格雷（PaulR.Gray）（美國）PaulJ.Hurst（美國）StephenH.Lewis等譯者：張曉林
目錄
第一章 積體電路放大器件模型
1.1 引言
1.2 pn結的耗盡區
1.2.1 勢壘電容
1.2.2 結擊穿
1.3 雙極型電晶體的大信號特性
電晶體（transistor）是一種固體半導體器件，可以用於檢波、整流、放大、開關、穩壓、信號調製和許多其它功能。電晶體作為一種可變開關，基於輸入的電壓，控制流出的電流，因此電晶體可做為電流的開關，和一般機械開關（如Relay、switch）不同處在於電晶體是利用電訊號來控制，而且開關速度可以非常之快，在實驗室中的切換速度可達100GHz以上。
1.3.1 正向放大區的大信號模型
1.3.2 集電極電壓對正向放大區大信號特性的影響
1.3.3 飽和區和反向放大區
1.3.4 電晶體擊穿電壓
1.3.5 工作條件決定電晶體電流增益
1.4 雙極型電晶體的小信號模型
1.4.1 跨導
1.4.2 基區寄生電容
1.4.3 輸入電阻
1.4.4 輸出電阻
1.4.5 雙極型晶體的基本小信號模型
1.4.6 集電極－－基極電阻
1.4.7 小信號模型的寄生單元
1.7.8 電晶體頻率呼應特性
1.5 金屬氧化物效電晶體的大信號特性
1.5.1 MOS器件的轉移特性
1.5.2 雙極型電晶體和MOS電晶體工作區的比較
1.5.3 柵－源電壓的分解
1.5.4 閾值的溫度獨立性
1.5.5 MOS器件的電壓限制
1.6 MOS電晶體的小信號模型
1.6.1 跨導
1.6.2 柵－源以及柵－漏固有電容
1.6.3 輸入電阻
1.6.4 輸出電阻
1.6.5 MOS電晶體的基本小信號模型
1.6.6 襯底跨導
1.6.7 小信號模型的寄生單元
1.6.8 MOS電晶體的頻率呼應
1.7 MOS電晶體的短溝道效應
1.7.1 水平場中的速率飽和
1.7.2 跨導和特徵頻率
1.7.3 垂直場中的遷移率下降
1.8 MOS晶體客中的弱反型
1.8.1 弱反型中的漏極電流
1.8.2 弱反型區中的跨導和特徵頻率
1.9 電晶體中的襯底電流
附錄
A.1.1 有源器件參數列表
第二章 雙極型、MOS和BiCMOS積體電路技術
mos管是金屬(metal)—氧化物(oxid)—半導體(semiconductor)場效應電晶體，或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導體。MOS管的source和drain是可以對調的，他們都是在P型backgate中形成的N型區。在多數情況下，這個兩個區是一樣的，即使兩端對調也不會影響器件的性能。這樣的器件被認為是對稱的。
2.1 引言
2.2 積體電路產生的基本過程
2.2.1 矽的電阻率
2.2.2 固態擴散
2.2.3 擴散層的電特性
2.2.4 光刻工藝
2.2.5 外延生長
2.2.6 離子注入
2.2.7 局部氧化
2.2.8 多晶矽的澱積
2.3 高壓雙極型積體電路的製造
2.4 高級雙極型積體電路的製造
2.5 雙極型模擬積體電路中的放大器件
2.5.1 npn型電晶體積體電路
2.5.2 npn型電晶體積體電路
2.6 雙極型積體電路中的無源元件
2.6.1 擴散電阻
2.6.2 外延生長電阻和外延夾斷電阻
2.6.3 積體電路電容
2.6.4 齊納二極體
2.6.5 結型二極體
2.7 基本雙極型工藝的改進
2.7.1 電介質隔離法
2.7.2 高性能有源元器件的兼容處理
2.7.3 高性能無源元件
2.8 MOS積體電路的製造
2.9 MOS積體電路中的有源器件
2.9.1 n溝道電晶體
2.9.2 p溝道電晶體
2.9.3 耗盡型器件
2.9.4 雙極型電晶體
2.10 MOS工藝中的無源器件
2.10.1 電阻
2.10.2 MOS工藝中的電容
2.10.3 CMOS技術的閂鎖
2.11 BiCMOS技術
2.12 異質結雙極型電晶體
2.13 互連延遲
2.14 積體電路製造過程的經濟意義
2.14.1 積體電路製造過程的收益因素
2.14.2 積體電路製造中的成本核算
2.15積體電路的封裝因素
2.15.1 最大功耗
2.15.2 積體電路封裝中的穩定性因素
附錄
A.2.1 SPICE模型參數
第三章 單級放大器與多級放大器
3.1 模擬電路近似分析中器件模型的選擇
3.2 放大器的二連線埠模型
3.3 基本單管放大器
3.3.1 共射組態
3.3.2 共源組態
3.3.3 共基組態
3.3.4 共柵組態
3.3.5 有限時的共基與共柵組態
3.3.5.1 共基與共柵組態的輸人電阻
3.3.5.2 共基與共柵組態的輸出電阻
3.3.6 共集組態（射隨器）
3.3.7 共漏組態（源極跟隨器）
3.3.8 射極反饋的共射放大器
3.3.9 源極反饋的共源放大器
3.4 多級放大器
3.4.1 共集一共射，共集一共集及達林頓組態
3.4.2 串接組態
3.4.2.1 雙極型串接組態
3.4.2.2 MOS電晶體串接組態
3.4.3 有源串接組態
3.4.4 超級源極跟隨器
3.5 差分對
3.5.1 共射差分對的直流傳輸特性
3.5.2 射極反饋的直流傳輸特性
3.5.3 共源差分對的直流傳輸特性
3.5.4 差分放大器的小信號分析介紹
3.5.5 理想對稱的差分放大器的小信號特性
3.5.6 差分放大器中的不匹配效應
3.5.6.1 輸入失調電壓和失調電流
3.5.6.2 共射差分對的等效輸入失調電壓
3.5.6.3 共射差分對的失調電壓：近似分析
3.5.6.4 共射差分對的失調電壓漂移
3.5.6.5 共射差分對的輸入失調電流
3.5.6.6 共源差分對的輸入失調電壓
3.5.6.7 共源差分對的失調電壓：
……
第三章 單級放大器與多級放大器
第四章 鏡像電流源、有源負載和基準源
第五章 輸出級
第六章 單端輸出的運算放大器
第七章 積體電路的頻率回響
第八章 反饋
第九章 反饋放大器的頻率回響
第十章 非線性模擬電路
第十一章 積體電路的噪聲
第十二章 全差分運算放大器
索引表
