枝蔓晶體

"GaSb發現了晶粒間界和枝蔓晶體的彎曲變形,這是過去多次空間生長的砷化鎵晶體中沒有發現的現象。 晶體生長實時觀察中發現了BBO晶體的枝蔓晶生長習性.根據β-BBO晶體生長熔體的雷射Raman 高溫光譜測試的結果

GaSb發現了晶粒間界和枝蔓晶體的彎曲變形,這是過去多次空間生長的砷化鎵晶體中沒有發現的現象。

形成機理

晶體生長實時觀察中發現了BBO晶體的枝蔓晶生長習性.根據β-BBO晶體生長熔體的雷射Raman高溫光譜測試的結果,指出了β-BBO晶體的生長基元為[B3-O6]3-六邊環.隨著熔體過冷度的增加,六邊環上的橋氧與Ba2+聯結構成三聯、六聯分子.在低過冷度的熔體中以[B3-O6]3-六邊環為主.由於不同維度的生長基元往晶體m1{1010}和m2{1010}各面族的疊合速率是不同的,所以晶體形態會發生變化,而且會導致枝蔓晶的形成.

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