於廣輝

1993和1996年在吉林大學電子工程系獲學士和碩士學位,1999年7月中科院長春物理所獲博士學位,1999年9月-2002年3月日本千葉大學博士後,2002年4月至今為中國科學院上海微系統所副研究員、研究員(2008.1起)、第二研究室副主任(2007.4月起)。 在博士後工作期間,對氮化物半導體物理、材料MOCVD和MBE生長和LED器件的製備等各個方面都進行了廣泛的研究,並於2001年獲得了日本千葉大學的“Nan ohan

基本信息

人物簡介

於廣輝,男,生於1970年11月,吉林省榆樹人。1993和1996年在吉林大學電子工程系獲學士和碩士學位,1999年7月中科院長春物理所獲博士學位,1999年9月-2002年3月日本千葉大學博士後,2002年4月至今為中國科學院上海微系統所副研究員、研究員(2008.1起)、第二研究室副主任(2007.4月起)。在博士後工作期間,對氮化物半導體物理、材料MOCVD和MBE生長和LED器件的製備等各個方面都進行了廣泛的研究,並於2001年獲得了日本千葉大學的“Nanohana competition” 獎。從2002年至今作為課題組長承擔國家863課題、973課題、國家自然科學基金、上海市國際合作課題、上海市自然科學基金課題、上海市白玉蘭人才基金、中科院課題等多項。目前主要研究領域集中在氫化物汽相外延(HVPE)厚膜GaN襯底材料、低維GaN材料與器件以及用於GaN材料製備的HVPE設備研製。

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