![數字積體電路分析與設計[電子工業出版社出版的圖書]](/img/e/49b/nBnauM3X1YDM5MDNwczM0YTN1UTM1QDN5MjM5ADMwAjMwUzL3MzL2AzLt92YucmbvRWdo5Cd0FmLxE2LvoDc0RHa.jpg "數字積體電路分析與設計[電子工業出版社出版的圖書]")
圖書目錄
第1章 深亞微米數字積體電路設計
1.1 緒論
1.2 積體電路產業的簡要歷史
1.3 數字邏輯六設計的回顧
1.1.1 基本的邏輯函式
1.1.2 邏輯電路的實現
1.1.3 噪聲容限的定義
1.1.4 瞬態特性的定義
1.1.5 功耗估算
1.4 數字積體電路設計
1.4.1 MOS電晶體的結構和工作原理
1.4.2 CMOS與NMOS
1.4.3 深亞微米互連
1.5 數字電路的計算機輔助設計
1.5.1 電路模擬和分析
*1.6 面臨的挑戰
1.7 小結
1.8 參考文獻
1.9 習題
第2章 MOS電晶體
2.1 緒論
mos管是金屬(metal)—氧化物(oxid)—半導體(semiconductor)場效應電晶體，或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導體。MOS管的source和drain是可以對調的，他們都是在P型backgate中形成的N型區。在多數情況下，這個兩個區是一樣的，即使兩端對調也不會影響器件的性能。這樣的器件被認為是對稱的。
2.2 MOS電晶體的結構和原理
2.3 MOS電晶體的閾值電壓
2.4 一次電流-電壓特性
2.5 速度飽和公式的來源
2.5.1 高電場的影響
2.5.2 速度飽和器件的電流公式
*2.6 α功率定律模型
2.7 亞閾值傳導
2.8 MOS電晶體的電容
2.8.1 薄氧化物電容
2.8.2 pn結電容
2.8.2 覆蓋電容
2.9 小結
2.10 參考文獻
2.11 習題
第3章 製造、版圖和模擬
3.1 緒論
3.2 IC製造工藝
3.2.1 IC製造工藝概述
3.2.2 IC光刻工藝
3.2.3 電晶體的製造
3.2.4 製造連線
3.2.5 連線電容和電阻
3.3 版圖基礎
3.4 電路模擬中MOS電晶體的模型構造
3.4.1 SPICE中的MOS模型
3.4.2 MOS電晶體的具體說明
3.5 SPICE MOS LEVEL 1 器件模型
3.5.1 MOS LEVEL 1 參數的提取
*3.6 BSM3模型
3.6.1 BSIM3中的載入過程
3.6.2 短溝道閾值電壓
3.6.3 遷移率模型
3.6.4 線性區和飽和區
3.6.5 亞閾值電流
3.6.6 電容模型
3.6.7 源/漏電阻
*3.7 MOS電晶體中的附加效應
3.7.1 產品中的參數變化
3.7.2 溫度效應
3.7.3 電源變化
3.7.4 電壓極限
3.7.5 CMOS閂鎖
*3.8 絕緣體上的矽工藝
*3.9 SPICE模型小結
3.10 參考文獻
3.11 習題
第4章 MOS反相器電路
4.1 緒論
4.2 電壓傳輸特性
4.3 噪聲容限的定義
……
第5章 靜態MOS門電路
第6章 高速CMOS邏輯設計
第7章 傳輸門和動態邏輯設計
第8章 半導體存儲器的設計
導電性能介於導體與絕緣體之間材料，我們稱之為半導體。在電子器件中，常用的半導體材料有：元素半導體，如矽（Si）、鍺（Ge）等；化合物半導體，如砷化鎵（GaAs）等；以及摻雜或製成其它化合物半導體材料，如硼（B）、磷（P）、錮（In）和銻（Sb）等。
第9章 存儲器設計中的其他課題
第10章 連線設計
第11章 電源格線和時鐘設計
附錄A SPICE的簡要介紹
附錄B 雙極型電晶體和電路
作者簡介
David A.Hodges是加州大學伯克利分校的工程學榮譽退休教授。獲得了Daniel M.Tellep傑出教授獎。他在康奈爾大學獲得電機工程學士學位，並在加州大學伯克利分校獲得碩士和博士學位。Hodges教授是1997年IEEE教育獎章和1999年ASEE Benjamin Garver Lamme獎的獲得者。 Horace G.Jackson在英格蘭出生和受教育。1956年他進入加州大學的Lawrence Berkeley實驗室，從事核科學研究儀器的開發工作，直到退休。Jackson博士與人合著過兩本書，並且在核科學和電子工程學期刊上發表了內容廣泛的多篇文章。 Resve A.Saleh目前擁有英國哥倫比亞大學電機與計算機工程系的NSERC/PMC-Sierra教授職位。Saleh博士在加州大學伯克利分校獲得電機工程碩士與博士學位。他出版了兩本書，發表的期刊文章和會議論文超過50篇。Simplex Solutions公司是一家深亞微米驗證公司，Saleh博士是該公司的創始人之一。
