研究室簡介
微波器件與積體電路研究室是國內最早開展化合物半導體器件和電路研究的單位之一，承擔了多項國家“863”、“973”、自然科學基金項目和中國科學院創新項目研究，取得了一系列具有影響力的研究成果。研究室下設“4英寸化合物半導體工藝線”、“微波單片積體電路（MMIC）設計和測試”、“微波模組研究”、“光電模組研究”四個科研平台。成熟的4英寸GaAs器件和電路工藝、2英寸InP器件和電路及GaN HEMTs成套工藝流程為高頻大功率微波器件研製提供了可靠的技術保障，完備的微波電路設計環境和高頻測試系統為微波毫米波積體電路設計創造了良好的科研環境；成套的模組製作設備，為開展微波射頻模組研製奠定了基礎。研究室目前的主要研究方向包括：GaAs基和InP基微波毫米波半導體器件和電路研製、微波大功率GaN基器件和電路研究、微波單片積體電路設計和測試技術、超高頻數模混合電路研究、微波混合電路和模組、光電器件與高密度集成技術。
學科方向
GaAs器件與電路研究（HEMT, HBT）
基於國內首條4英寸化合物研製工藝線開展GaAs器件工藝、新結構器件、工藝和器件建模、電路研製等研究，成功地開發出完備的GaAs HEMT和HBT整套工藝流程，並研製成功fT>872GHz的0.1μm T型柵PHEMT、fT>92GHz的2μm HBT、增強型HEMT等器件和2.5GHz低噪聲放大器、2.5-10GHz跨阻放大器、10Gb/s GaAs PHEMT光調製器驅動電路及10Gb/s InGaP/GaAs HBT光調製器驅動器等電路。
毫米波InP基器件與電路研究
主要從事毫米波超低噪聲InP 基HEMT器件研究、特殊結構InP 基PHEMT和HBT器件研發、InP基MMIC設計技術與製作工藝研究，現已建立了納米柵InP基HEMT工藝流程。
寬禁帶化合物半導體（GaN）器件與電路研究
氮化鎵（GaN）作為第三代半導體材料體系的代表，由於其優良高溫及高頻特性已成為目前國際上研究的熱點。近年來與中科院半導體所和物理所合作開展GaN材料、器件、電路和理論等方面研究----採用國產材料研製出國內領先的AlGaN/ GaN HEMT器件：Imax = 0.92A/mm(Vgs=1V)，gm-extrinsic= 184mS/mm fT = 18.76GHz fmax>25GHz，大尺寸的GaN功率器件：Imax = 1.42A(Vgs=0.5V) Wgate = 1.6mm。目前正在開展C-X波段GaN 功率器件和MMIC研究。
微波單片積體電路（MMIC）設計和測試技術
主要開展GaAs基微波毫米波低噪聲放大電路、功率放大電路、寬頻帶放大電路、雷射調製驅動電路等多種單片積體電路（MMIC）的設計與測試。
新一代模組技術研究
採用自主開發的無源耦合和準無源耦合技術實現光電模組的組裝，目前正致力於新一代光電發射模組、微波混合積體電路模組研究。
