微晶矽

μc-Si又稱納米晶矽。 其性質不同於大晶粒多晶矽，又不同於非晶矽。 光吸收係數介於晶體矽和非晶矽之間。

名稱：微晶矽;納米晶矽;microcrystalline silicon μc-Si
又稱納米晶矽。晶粒在10nm左右的多晶矽材料。其性質不同於大晶粒多晶矽，又不同於非晶矽。帶隙可達2.4eV(晶體矽為1.12eV)，電子和空穴遷移率均高於非晶矽兩個數量級以上。光吸收係數介於晶體矽和非晶矽之間。採用輝光放電化學氣相沉積法，減壓化學沉積法，磁控濺射法，非晶矽熱處理法等製備。可用作太陽電池視窗材料、異質結雙極型電晶體、薄膜電晶體等。