徐安懷[中科院上海微系統與信息技術研究所副研究員]

基本信息

• 中文名：徐安懷
• 出生日期：1970年
• 性別：男
• 國籍：中國
• 籍貫：江蘇鹽城

個人信息

徐安懷，副研究員。

簡歷

徐安懷，男， 生於1970年12月，江蘇鹽城人。1994年7月於長春光學精密機械學院（現長春理工大學）光學物理系獲理學學士學位；1994年8月於南京江南光電集團股份有限公司航測組參加工作，技術員；1996年1月—1998年8月長春理工大學計算機系輔導員；1998年9月—2001年8月於長春理工大學高功率半導體雷射國防科技重點實驗室助研，2001年3月於長春理工大學高功率半導體雷射國防科技重點實驗室獲碩士學位；2001年9月—2004年7月中科院上海微系統與信息技術研究所信息功能材料國家重點實驗室獲博士學位；2006年1月為副研究員，主要從事HBT和HEMT器件與電路用InP基及含磷化合物半導體微波毫米波外延材料的能帶結構設計、電流傳輸特性和氣態源分子束外延（GSMBE）生長的關鍵技術研究。先後主持和承擔了多項國家973、自然基金、支撐項目、中科院知識創新等項目的研究工作，在高含銦組分接觸層的生長工藝、超薄重摻雜基區材料生長技術以及消除在InP DHBT的集電結電流阻擋效應的能帶結構設計上，做出了富有成效的工作。在國、內外學術刊物上發表論文三十餘篇。