學習經歷
西安電子科技大學教授張玉明 1994.9-1998.6 在西安交通大學羅晉生教授處攻讀博士學位。研究領域為新型半導體體器件，博士論文題目是“碳化矽材料和器件的研究”。
 1989.8-1992.3 在西安電子科技大學攻讀碩士學位。導師為姚立真教授，碩士論文為“微組裝的計算機輔助熱分析”。同時參加了“半導體器件產生器的研究和開發”、“IC版圖的符號布圖和壓縮”及“溫控電路的模擬分析”等項目的研究工作。
 1984.9-1989.7在清華大學讀本科，專業為微電子學。在校其間曾在張建人教授課題組從事鑰匙鏈口哨電路、電子表電路的開發，並參加微電子所新線超淨間的建設。畢業設計題目是VLSI設計軟體Electric分析和套用，指導教師為楊之廉教授。
工作經歷
 1992.4— 在西安電子科技大學從事教學和科研工作。1994年晉升為講師，1998年破格晉升為副教授。2001年破格晉升為教授，2002年被評為博士導師。
 1999.8-2000.9 在美國Rutgers-新澤西洲立大學做博士後，在電子工程系碳化矽實驗室主任J.zhao教授的指導下從事下列科研工作：
1. 設計和製作用於電動車輛的先進的碳化矽功率器件
2. 研究摻釩的半絕緣碳化矽的特性
講授的課程
（1）半導體積體電路;
（2） 射頻積體電路設計
（3）化合物半導體材料和器件
（4）半導體器件模型和模擬
研究領域
（1）高溫高頻大功率寬禁帶半導體器件和材料（SiC）；
（2）模擬積體電路設計
（3）自旋電子學
（4）半導體器件模型和模擬
（5）半導體器件抗輻照加固技術
研究的課題
項目名稱及校內編號 項目來源 起止時間
自旋器件輸運機理的研究J60604250144 國家自然科學基金 2005至2007年
注釩（V）製備半絕緣碳化矽層的研究J60403250112 國家自然科學基金 2004年至2006年
SiC高頻高溫功率器件A50103250091 民口973子項目 2003年至2007年
碳化矽外延材料性能表征方法，A157 04250163 國防973 2004至2008年
碳化矽外延生長機理及關鍵技術研究，A1 5704250162 國防973 2004至2008年
SiC MESFET器件非線性模型建立，A1 5704250164 國防973 2004年至2008年
碳化矽外延材料技術 中外航天項目 2005年至2007年
碳化矽外延生長關鍵技術 教育部重大項目 2006年至2008年
1. 深亞微米積體電路P/G網的分析研究
2. 紫外光探測系統研究
3. 電磁流量計系統的研究與開發
4. 4H-SiC MESFET抗輻照效應及加固技術研究，
5. 深亞微米積體電路P/G網輻照特性及其加固的研究
橫向項目
科研獲獎
1. ECR可刻蝕及碳化矽高溫半導體器件技術,陝西省科學技術進步二等獎,(2003-5)
2. ECR可刻蝕及碳化矽高溫半導體器件技術,西安市科學技術進步一等獎,(2002-5)
3. 碳化矽高溫半導體器件技術，陝西高等學校科學技術二等獎（020715-4）
4. 碳化矽器件及其相關技術的研究, 陝西省信息產業廳科技成果一等獎, (010216)
5. 碳化矽器件的研究, 西安電子科技大學科技成果一等獎(2001)
6. HEMT計算機模擬研究, 電子工業部科技進步獎三等獎(970874)
7. HEMT計算機模擬研究,西電科大科研成果二等獎(XD97029)
8. 模擬軟體在三維半導體器件模擬的套用研究, 電子工業部科技進步獎三等獎(940113)
9. 三維半導體器件模擬軟體實用化研究, 西電科大科研成果二等獎(XD9-1994)
10. Analytical model of Kink effect related to interface trap, 西電科大優秀論文二等獎(98030)
其它獲獎
1. 獲第四屆“陝西青年科技獎” 陝科協發[2003]組字第15號（2003.8.8）
2. 西安電子科技大學十大傑出青年稱號（2003.5）
3. 中建 理論教學三等獎（2002）
4. 獲陝西省優秀留學回國人員稱號（2001）
5. 2000－2001年度校級優秀教師
6. 獲西安電子科技大學首屆學術帶頭人（2000－2002）
7. 1996－1997年校級先進工作者
8. 1996年校第三屆青年教師講課競賽優秀獎
9. 1994－1995年系級優秀教育工作者
