孟憲權

武漢大學物理系碩士研究生畢業,中國科學院半導體研究所博士研究生畢業。95、97、99年三次獲得武漢大學優秀青年教師、優秀導師獎。

基本信息

基本信息

姓名:孟憲權
職稱:博士,副教授

主要研究方向

(1) 半導體量子點雷射器、探測器
(2) 寬禁帶半導體材料及敏感器件
(3) 半導體納米材料

主要成果與歷經

武漢大學物理系碩士研究生畢業,中國科學院半導體研究所博士研究生畢業。95、97、99年三次獲得武漢大學優秀青年教師、優秀導師獎。在國內外刊物發表文章20多篇,申請專利一項,獲得2001年武漢市科技進步一等獎一次。
曾主要參加:國家自然科學基金面上項目:“量子點子帶間躍遷紅外雷射器材料和器件研究”,“GaN的離化團束製備及離子注入研究”;《國家重點基礎研究發展規劃》(973)項目:“信息功能材料相關基礎問題”的03課題“應變自組裝量子線、量子點材料”;《國家高技術研究發展計畫》(863)項目:項目名稱:“光泵浦、光通信用自組裝量子點雷射器”,國家自然科學基金重大項目“半導體納米材料的可控、有序生長”等項目。

曾發表的文章

(1)X. Q. meng, B. Xu, P. Jin, X. L. Ye,etal. Dependence of Optical Properties on the Structure of Multi-Layer Self-Organized InAs Quantum Dots Emitting Near 1.3mm,
Journal of Crystal Growth 243 (2002) 432-438
(2)X. Q. Meng, P. Jin, B. Xu, et al. A novel line-order of InAs quantum dots on GaAs
Journal of Crystal Growth 241 (2002) 69-73
(3)X. Q. Meng, B. Xu, P. Jin, X. L. Ye et al.Studies of Multi-layer Self-organized Quantum Dots Used as Gain materials Emitting Near 1.3mm The 8th International Conference on Electronic Materials (IUMRS-ICEM2002), June 10-14, 2002 Xi’an, China
(4)X. Q. Meng, W. Zhen, J.P. Guo and X. J. Fan The structural, optical and electrical properties of ZnO and ZnO-Al2O3 thin films produced by dc magnetron sputtering
Appl. Phys. A 70, (2000) 421-424
(5)X. Q. Meng, Zhao Chun, Wang qiong, et al. Preparation of GaN thin films by reactive Ionized cluster beam technique Chin. Phys. Lett. 16(5) (1999) 367-369
(6)X. Q. Meng, Z. H. Zhang, H. X. Guo A. G. Li. And X. J. Fan Arc discharge synthesizing of carbon nitride Solid state communications 107(2) (1998) 75-78
(7)A new formula on the thickness of films deposited by planar and cylindrical sputtering
X. Q. Meng, X. J. Fan H. X. Guo
Solid Thin Films 335 (1998) 279-283
(8)X. Q. Meng, P. Jin, B. Xu, C.et al. Self-organized Growth of Quantum Dots in Line Order
The 7th International Conference on Nanometer-Scale Science and Technology and the 21st European Conference on Surface Science (NANO-7/ECOSS-21), June 24, 2002 Malmö, Sweden.
(9)Peng Jin, X. Q. Meng, Z. Y. Zhang, et al. Effect of InAs Quantum dots on the Fermi Level Pinning of Undoped-n(+) Type GaAs Surface Studied by contactless Electroreflectance,
J. Appl. Phys.93(7)(2003)4169-4172
(10)Jin Peng, X. Q. Meng, Zhang Zi-Yang, et al. Modulation spectroscopy of GaAs covered by InAs quantum dots Chin. Phys. Lett. 19(7) (2002) 1010-1012
(11)Z.Y. Zhang, X.Q. Meng, P. Jin, et al. A novel application to quantum dot materials­­ to the active region of superluminescent diodes J. Crystal. Growth 243, 25(2002)
(12) 孟憲權 徐波 金鵬 王占國等 量子點垂直腔面發射雷射器有源區製備研究 第12屆全國化合物半導體材料、微波器件和光電器件學術會議, 2002年10月,廈門

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