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單晶生長法
單晶生長法基本原理，多晶體矽料經加熱熔化，待溫度合適後，經過將籽晶浸入、熔接、引晶、放肩、轉肩、等徑、收尾等步驟，完成一根單晶錠的拉制。爐內的傳熱、傳質...
主要方法 工藝流程 -
外延生長工藝
直接製備p-n結。外延生長法有氣相外延、液相外延和分子束外延等。要求基質...特性外延生長工藝epitaxy growth technology利用...。外延有同質外延和異質外延之分，可以採用隔離性能優良的絕緣材料作外延襯底...
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砷化鎵材料
覆蓋襯底表面,然後通過降溫以生長外延層,也可採用溫度梯度生長法或施加直流電...，簡稱LEC法）,但水平舟生長法（即水平布里其曼法）因制出的單晶質量和均勻...。不論水平舟生長法或是液封直拉法，晶體的直徑均可達到100～150毫米而與...
正文 -
晶體生長技術
熔體生長法這類方法是最常用的，主要有直拉法（又稱丘克拉斯基法）、坩堝下...生長法此法可以根據溶劑而定。廣泛的溶液生長包括水溶液、有機和其他無機溶液...的水溶液使材料溶解而達到過飽和進而析晶的生長晶體方法叫水熱生長法。這個...
熔體生長法 溶液生長法 氣相生長法 外延 -
量子點
人類拇指的寬度。製備方法量子點的製造方法可以大致分為三類：化學溶液生長法，外延生長法，電場約束法。這三類製造方法也分別對應了三種不同種類的量子點...0.01S/cm。外延生長法外延生長法是指在一種襯底材料上長出新的結晶...
研究歷史 基本介紹 製備方法 類型劃分 主要性質 -
材料製備科學與技術
與晶體生長 習題 第7章 單晶材料的製備 7.1 氣相生長法 7.2 水溶液生長法 7.3 水熱生長法 7.4 熔鹽生長法 7.5 熔體生長法 習題 第8章 薄膜材料的製備...
百科名片 內容提要： 圖書目錄： 文章節選： -
熔劑薄膜
能夠製造具有與塊晶同等的晶體完整性的薄膜、且製造成本低的固相熔劑外延生長法，其中，在基板上將外延生長的物質即目標物質和溶劑相混合的非晶形薄膜...共晶狀態的液相，目標物質從該液相析出並在基板上進行外延生長。 參考資料...
簡介 參考資料 -
單晶材料
組分，通過嚴格控制的條件可以生長出符合需要的高質量晶體。 氣相生長法...、ZnSiP。3 氣相反應生長法讓各反應物直接進行氣相反應生成晶體的方法...很小區域熔體處於過冷態，絕大部分熔體處於過熱態（溫度高於Te ）。已生長出...
簡介 單晶製備方法： 新發展及其對生長技術的挑戰 -
稀磁半導體材料
電子之間相互作用的相對強弱。製備方法分子束外延法分子束外延（MBE）技術由於其在原子尺度上精 確控制外延膜厚、摻雜和界面平整度的特點，明顯優 於液相外延法和氣相外延生長法，更有利於生長高質 量DMS薄膜。採用低溫分子束...
簡介 交換作用 製備方法 發展前景 -
稀磁半導體
優 於液相外延法和氣相外延生長法，更有利於生長高質 量DMS薄膜。採用...氣相外延生 長，可以合成組分按任意比例組成的人工合成材料， 形成厚度精確... 電子之間相互作用的相對強弱。 製備方法分子束外延法分子束外延（MBE...
介紹 特性 製備方法 前景
