能夠製造具有與塊晶同等的晶體完整性的薄膜、且製造成本低的固相熔劑外延生長法,其中,在基板上將外延生長的物質即目標物質和溶劑相混合的非晶形薄膜在低於共晶點溫度的低溫下進行堆積,在目標物質和熔劑的共晶點溫度以上的溫度下對該基板進行熱處理。
簡介
其中所述熔劑由與所述目標物質之間形成共晶但不形成化合物的物質構成。通過固相反應即固相擴散,目標物質和熔劑相混合而形成共晶狀態的液相,目標物質從該液相析出並在基板上進行外延生長。
能夠製造具有與塊晶同等的晶體完整性的薄膜、且製造成本低的固相熔劑外延生長法,其中,在基板上將外延生長的物質即目標物質和溶劑相混合的非晶形薄膜在低於共晶點溫度的低溫下進行堆積,在目標物質和熔劑的共晶點溫度以上的溫度下對該基板進行熱處理。
其中所述熔劑由與所述目標物質之間形成共晶但不形成化合物的物質構成。通過固相反應即固相擴散,目標物質和熔劑相混合而形成共晶狀態的液相,目標物質從該液相析出並在基板上進行外延生長。
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