![特徵頻率[表征電晶體在高頻時放大能力的一個基本參量]](/img/2/096/nBnauM3XxUTN1ADOyAjN0ETN1UTM1QDN5MjM5ADMwAjMwUzLwYzL1MzLt92YucmbvRWdo5Cd0FmLxE2LvoDc0RHa.jpg "特徵頻率[表征電晶體在高頻時放大能力的一個基本參量]")
定義
在給定的發射中用於識別和測量頻率，例如載波頻率可被指定為 特徵頻率。
對於元器件而言，特徵頻率是指其主要功能下降到不好使用時的一種 截止頻率。例如，對於用作為放大的有源器件—— 雙極型電晶體以及 場效應電晶體而言，特徵頻率就是指其電流放大係數下降到1時的頻率，這是共發射極組態作為放大使用的截止頻率。對於用作為檢波、開關等的無源二極體而言，其特徵頻率就是指其阻抗下降到很小、不能吸收信號功率時的頻率，這時的截止頻率也就是其特徵頻率。
雙極型電晶體
BJT的特徵頻率ft就是其共發射極組態的電流放大係數大小│β│下降到1時的頻率，又稱為電晶體的 增益-頻寬乘積。若βo是低頻時的電流放大係數，fβ是所謂β截止頻率，則在 f >> fβ 時可有│β│f = βo fβ = ft。因此，只要在高於fβ的頻率下測得│β│，就可以得到ft。
BJT的特徵頻率ft可用電子從發射極到集電極之間的有效渡越時間τec來表示為：ft = （2 π τec)-1 ，式中τec =τE +τB +τD +τC，τE = (kT/q Ic) CjE 是發射結的充電時間，τB ≈τF 是電子渡越中性基區的時間，τF是移走基區和發射區中存儲電荷所需要的時間 (略大於τB），τC = (kT/qIc + rc)CjC是集電結的充電時間，τD = Xdc / vs是電子以飽和漂移速度vs渡越集電結耗盡層Xdc的時間；對ft起決定作用的因素一般主要是τB ，其次是結電容（特別是集電結電容）。ft與電晶體的工作點有關，故在使用電晶體和測試ft時，都需要合理地選擇工作點。
提高BJT特徵頻率的措施是：
①在ft不很高時往往是τB起主要作用，則要求減小基區寬度 （採用淺結工藝製作薄基區）、增大基區電場因子η（提高基區中在發射結一側的摻雜濃度和提高發射區雜質分布的陡峭度以減小阻滯場，但若摻雜濃度太高反而會使擴散電子係數減小，故η一般控制在3~6之間）；
②在ft較高時，基區寬度必然很小，τB較短，則必須考慮τE、τD和τC 的影響，因此要求減小發射結的動態電阻 （選用較大的集電極電流） 和勢壘電容（減小發射結面積）、減小集電結的勢壘厚度 （可降低集電區電阻率，但要兼顧擊穿電壓）、減小集電極的串聯電阻rC （降低集電區的電阻率）和勢壘電容Cjc （減小集電結面積）。
場效應電晶體
場效應管（JFET、MESFET、HEMT）的特徵頻率ft是指共源、輸出端短路、電流放大係數為1（即輸入電流=輸出電流） 時的頻率，也稱為共源組態的增益-頻寬乘積；它主要由柵極電容Cg來決定。由簡化的小信號高頻等效電路可以給出有ft = gm / 2πCg = 1 / 2π τ，即ft決定於柵極下載流子的渡越時間τ。
對於長溝道（μ為常數） 的器件：τ = L /μ Ey ≈ L2 /μVds，則ft = μ Vds / 2πL ；對於短溝道（漂移速度飽和為vs) 的器件：τ = L / vsL ，則ft = vs L / 2πL。
若再計入寄生電容CL，則截止頻率為 ft = gm / [2π（Cg+CL)] = （1 / 2 π τ） [1 + (CL / Cg)]-1。
提高場效應電晶體ft的措施：增大跨導gm、減小柵電容Cg、減短溝長L、增大遷移率μ或飽和漂移速度vs。
對HEMT（ 高電子遷移率電晶體），由於HEMT的控制層厚度可以製作得比較小，則Cgs 比較小（即gm 比較大），從而有較高的截止頻率和較快的工作速度。
⑷三極體的特徵頻率
三極體由於存在節電容，特別是CB節電容，對三級管放大信號的頻率影響最大。導致三極體對高頻信號放大能力嚴重下降。某頻率通過三極體放大後，放大倍數為1，這個信號頻率就是三極體的特徵頻率。特徵頻率是個重要參數，三極體生產廠商會告訴這個參數，查手冊可以知道。選擇三極體時，要選擇特徵頻率高於信號頻率的上限值的三極體。比如9018，特徵頻率為500MHZ，用在電視機預中放38MHZ是可以的
