ISBN：10位［7311025648］13位［9787311025649］
出版社：蘭州大學
出版日期：2006-03
定價：￥40.50元
內容提要
本書是關於固體電子器件的教學用書。全書共分11章。第1章至第4章是關於半導體材料及其生長技術、量子力學基礎、半導體能帶、以及過剩載流子方面的內容。第5章至第11章是關於各種電子器件和積體電路的工作原理與製造工藝方面的內容，分別介紹了：p—n結和金屬．半導體結(包括異質結)；場效應電晶體(JFET、MESFET、MOSFET)；雙極結型電晶體(BJT和HBT)；光電子器件(太陽電池、光探測器、LED和雷射器)；負電導微波器件(隧道二極體、IMPATI和Gunn二極體)；功率半導體器件(SCR和IGBT)等，其中第5章和第9章用了較大篇幅對現代半導體器件和積體電路的製造工藝作了介紹。
本書的內容全面，繁簡適中，基本上涵蓋了所有的器件大類，反映了現代電子器件的基礎理論、工作原理、物理效應、以及技術成果，各章後面均附有適量的習題和參考讀物，適合於微電子學專業和電子科學與技術專業高年級本科生教學使用，也可供微電子學與固體電子學專業的從業人員及科技工作者參考。
作者簡介
BenGStreetman是德克薩斯大學(TheUniversityofTaxesatAustin)工程學院院長，並擔任DulaD．CockrellCentennial工程部主席。他曾在1984—1996年期間擔任德克薩斯大學微電子研究中心主任一職；目前是電子與計算機工程系教授，從事半導體材料與器件的教學和科研工作。1966年從德克薩斯大學獲得博士學位後，在伊利諾斯大學(TheUniversityofIllinoisatUrbana-Champaign)任教，直到1982年重返德克薩斯大學。他曾獲得的榮譽主要有：1989年電子電氣工程師協會(IEEE)頒發的教育勳章；1981年美國工程教育協會(AsEE)頒發的FrederickEmmonsTerman獎章，以及化合物半導體國際會議頒發的HeinrichWelker獎章。他是國家工程院院士，同時也是IEEE和電化學協會會員。曾榮膺德克薩斯大學奧斯汀分校優秀學生和工程學院優秀研究生稱號。因在電子工程教學方面成績斐然，曾被授予GeneralDynamicsAward獎；他的本科生的教學工作受到廣泛讚譽。他曾在工業界、政府的許多專門小組和委員會中擔任重要職務。他發表的論文有270多篇；在他的指導下，先後有33名來自電子工程、材料、物理等學科的學生獲得了博士學位。
目錄
第1章晶體性質和半導體生長
1．1半導體材料
1．2晶格
1．2．1周期結構
1．2．2立方晶格
1．2．3晶面與晶向
1．2．4金剛石晶格
1．3塊狀晶體生長
1．3．1原材料的製備
1．3．2單晶的生長
1．3．3晶片加工
1．3．4晶體摻雜
1．4薄層晶體的外延生長
1．4．1外延生長的晶格匹配
1．4．2汽相外延
1．4．3分子束外延
習題
參考讀物
第2章原子和電子
第3章半導體的能帶和載流子
第4章半導體中的過剩載流子
第5章半導體p—n結和金屬一半導體結
第6章場效應電晶體
第7章雙極結型電晶體
第8章光電子器件
第9章半導體積體電路
第10章負電導微波器件
第11章功率半導體器件
附錄
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