原生多晶矽

化學性質:常溫下不活潑，高溫下與氧、氮、硫等反應。 高溫熔融狀態下，具有較大的化學活潑性，能與幾乎任何材料作用。 多晶矽可作拉制單晶矽的原料，用於（是）半導體行業和太陽能。

物理性質：

具有灰色金屬光澤。密度2.32-2.34。熔點1410℃。沸點2355℃。溶於氫氟酸和硝酸的混酸中，不溶於水、硝酸和鹽酸。硬度介於鍺和石英之間，室溫下質脆，切割時易碎裂。加熱至800℃以上即有延性，1300℃時顯出明顯變形。

化學性質:

常溫下不活潑，高溫下與氧、氮、硫等反應。高溫熔融狀態下，具有較大的化學活潑性，能與幾乎任何材料作用。

套用:

具有半導體性質，是極為重要的優良半導體材料，但微量的雜質即可大大影響其導電性。電子工業中廣泛用於製造半導體收音機、錄音機、電冰櫃、彩電、錄像機、電子計算機等基礎材料。由乾燥矽粉與乾燥氯化氫氣體在一定條件下反應（氯化），再經冷凝、精餾、還原而得。 多晶矽是單質矽的一種形態。多晶矽可作拉制單晶矽的原料，用於（是）半導體行業和太陽能。從目前來講，要使太陽能發電具有較大的市場，被廣大的消費者接受，就必須提高太陽電池的光電轉換效率，降低生產成本。
多晶矽技術指標：電阻率>100Ω·cm(N型），電阻率>1000Ω·cm(P型）；少子壽命>25μs;C<1ppma.