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內容簡介
《半導體量子器件物理》在簡要論述半導體材料基本電學和光學性質的基礎上，剖析了近年來半導體器件向小型化發展的趨勢，結合作者自身的工作，著重討論器件的量子效應。對傳統二極體、三極體等器件在納米尺度上的特性以及新型量子器件都作了詳盡的闡述。在全書的最後一章，提供了關於量子器件的基本計算方法和程式。
《半導體量子器件物理》可作為套用物理、電子學、材料專業領域內高年級本科生、研究生的教材，以及相關領域科研人員的參考讀物。
作者簡介
博英，1964年生，1984年畢業於廈門大學物理系，獲理學學士學位。1990年獲瑞典林雪平大學物理與測量技術系工學博士學位。現任瑞典哥德堡查爾摩斯工學院物理與技術物理系副教授、瑞典斯德哥爾摩皇家工學院生物工程系副教授。主要從事各種新穎納米量級的電子器件、分子器件以及感測器的研究。1999年由美國Kluwer出版公司出版了英文專著Physical Models of Semiconductor Quantum Devices，並撰寫了多本英文專業綜述叢書的相關章節。
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目錄
序
前言
第一章 緒論
1.1 歷史和動態
1.2 內容安排和說明
參考文獻
第二章 半導體材料
2.1 原子和固體
2.2 固體材料的晶格特性
2.3 半導體固體中的電子
2.4 sp上標3s上標*緊束縛近似法
2.5 合金半導體材料的能帶結構
2.5.1 導帶
2.5.2 價帶
2.5.3 有效質量
2.5.4 非拋物線形能帶
2.6 異質結構材料
2.7 包絡函式
2.8 有效質量近似
2.9 電子態密度和材料維度
2.10 晶體材料生長
2.10.1 體材料生長
2.10.2 低維結構材料生長
2.10.3 熱擴散和離子注入技術
2.10.4 材料晶片技術
參考文獻
第三章 半導體的電學性質
3.1 加速定理
3.2 雜質和雜質態
3.3 摻雜半導體的費米能級
3.4 載流子的散射
3.4.1 半經典的處理方法
3.4.2 微擾理論
3.4.3 聲子散射
3.4.4 載流子-載流子相互作用
3.4.5 雜質散射
3.5 載流子遷移率和p型Si下標1下標-下標xGe下標x合金
3.5.1 輸運方程
3.5.2 散射機率
3.5.3 漂移遷移率
3.5.4 霍爾係數
3.5.5 擴散
3.5.6 熱電子和漂移速度
3.5.7 瞬變輸運和速度過沖
參考文獻
第四章 半導體的光學特性
4.1 電磁波
4.2 電磁場中的電子
4.3 光吸收
4.3.1 光躍遷的一般考慮
4.3.2 離散子能級之間的光躍遷
4.3.3 子帶間的光躍遷
4.4 激子
4.4.1 激子態的有效質量近似
4.4.2 激子的形成和複合
4.5 輻射複合
4.6 無輻射效應
參考文獻
第五章 二極體
5.1 常規電子器件參數以及基本方程
5.2 pn結二極體
5.2.1 空間電荷區和結電容
5.2.2 少子注入和二極體的理想特性
5.3 半經典近似和量子圖像
5.4 共振隧道二極體
5.4.1 穩態I-V關係
5.4.2 對時間相關微擾的回響
5.4.3 聲子輔助的隧道效應
5.5 異質結構勢壘可變電抗器
5.5.1 傳導電流
5.5.2 電容-電壓關係
5.5.3 交流偏壓下的載流子輸運特性
5.5.4 Si/SiO下標2的可變電抗器
參考文獻
第六章 電晶體
6.1 金屬氧化物半導體場效應電晶體
6.1.1 等效電路
6.1.2 溝道中載流子的速度限制
6.1.3 小尺度的MOS場效應管
6.1.4 互補型金屬氧化物半導體場效應電晶體
6.2 高電子遷移率電晶體
6.2.1 遠程雜質散射
6.2.2 洳粼映⌒в??騫?
6.3 納米尺度的場效應電晶體
6.3.1 載流子的量子波分布以及閾值電壓
6.3.2 量子波輸運
6.3.3 界面粗糙和遠程電離雜質散射
6.3.4 源漏極結深對載流子波輸運的影響
6.4 納米尺度SOI-MOS場效應管
參考文獻
第七章 量子點單電子器件
7.1 雙柵矽MOS場效應管中的載流子輸運
7.2 矽微晶單電子電晶體以及庫侖阻塞效應
7.3 多柵AlGaAs、InGaAs/GaAs異質結構單電子電晶體
7.4 量子點原胞自動機
參考文獻
第八章 光探測器
8.1 光探測器的基本結構
8.1.1 p-i-n結光電二極體
8.1.2 雪崩光電二極體
8.2 Si/SiGe異質結構內部發射紅外探測器
8.3 量子阱紅外探測器
8.3.1 光躍遷的基本特性
8.3.2 光電耦合
8.3.3 暗電流和光電流
8.3.4 連續態的邊界條件
8.3.5 混晶散射和載流子遷移率
8.4 量子線紅外探測器
參考文獻
第九章 光輻射器件
9.1 發光二極體
9.2 共振隧道效應發光二極體
9.3 半導體雷射器
9.3.1 掩埋式異質結構半導體雷射器
9.3.2 量子級聯雷射器
參考文獻
第十章 光子晶體及光子學器件
10.1 光子晶體基本概念
10.2 一維光子晶體及分光技術
10.3 二維光子晶體
10.4 激子對介電極化的貢獻
10.5 微腔和四波混合
10.6 三維量子點光子禁帶
10.7 入射電磁波在量子點點陣的反射與透射
10.7.1 單量子點平麵點陣
10.7.2 雙量子點平麵點陣
10.7.3 多層量子點平面
參考文獻
第十一章 數值解方法
11.1 體材料的費米積分
11.2 一維薛丁格方程的數值解
11.2.1 一維量子阱中的局域態
11.2.2 量子阱超晶格
11.2.3 二極體的電流密度
11.3 電子局域態密度：遞歸方法
參考文獻
附錄一 英文縮略語解釋
附錄二 主題詞漢英對照索引
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