內容簡介
《半導體器件物理與工藝》(第2版)分為三個部分：第1部分（第2、3章）描述半導體的基本特性和它的傳導過程，尤其著重在矽和砷化鎵兩種最重要的半導體材料上。第l部分的概念將在《半導體器件物理與工藝》(第2版)接下來的部分被用到，了解這些概念需要現代物理和微積分的基本知識。第2部分（第4-9章）討論所有土要半導體器件的物理過程和特性。由對大部分半導體器件而言最關鍵的p-n結開始，接下來討論雙極型和場效應器件。最後討論微波、量子效應、熱電子和光電子器件。第3部分（第10-14章）則介紹從晶體生長到摻雜等工藝技術。我們介紹了製作器件時的各個主要步驟，包含理論和實際情況，並特彆強調其在積體電路土的壓用。
作者簡介
本書由[美國]施敏著 趙鶴鳴 錢敏 黃秋萍 譯。
施敏（Simon M·Sze） 美國籍，微電子科學技術、半導體器件物理專業， 台灣交通大學電子工程學系毫微米元件實驗室教授，美國工程院院士，中國工程院院士，台灣中央研究院三院院士。1936年出生。1957年畢業於台灣大學。1960年、1963年分別獲得華盛頓大學和史丹福大學碩士與博士學位。
施敏博士是國際知名的微電子科學技術與半導體器件專家和教育家。他是非揮發MOS場效應記憶電晶體（MOSFET）的發明者，這項發明已成為世界積體電路產業主導產品之一，90年代初其產值已達100億美元。此外，他還有多項創造性成果，如80年代初首先以電子束製造出線寬為0.15μm MOSFET器件，首先發現崩潰電壓與能隙的關係，建立了微電子元件最高電場的指標，如此等等。
施敏博士在微電子科學技術著作方面舉世聞名，對半導體元件的發展和人才培養方面，作出貢獻。他的三本專著已在我國翻譯出版，其中《Physics of Semiconductor Devices》已翻譯成六國文字，發行量逾百萬冊；他的著作廣泛用作教科書與參考書。由於他在微電子器件及在人才培養方面的貢獻，先後被選為台灣中央研究院院士和美國國家工程院院士；1991年他得到IEEE電子器件的最高榮譽獎（Ebers獎），稱他在電子元件領域做出了基礎性及前瞻性貢獻。
施敏博士多次來國內講學，參加我國微電子器件研討會；他對台灣微電子產業的發展，曾提出過有份量的建議。他曾一再表示願為我國微電子產業的發展提供諮詢。
目錄
第1章 簡介
1.1 半導體器件
1.2 半導體工藝技術
總結
參考文獻
第1部分 半導體物理
第2章 熱平衡時的能帶和載流子濃度
2.1 半導體材料
2.2 基本晶體結構
2.3 基本晶體生長技術
2.4 共價健
2.5 能帶
2.6 本徵載流子濃度
2.7 施主與受主
總結
參考文獻
習題
第3章 載流子輸運現象
3.1 載流子漂移
3.2 載流子擴散
3.3 產生與複合過程
3.4 連續性方程式
3.5 熱電子發射過程
3.6 隧穿過程
3.7 強電場效應
總結
參考文獻
習題
第2部 分半導體器件
第4章 p-n結
4.1 基本工藝步驟
4.2 熱平衡狀態
4.3 耗盡區
4.4 耗盡層勢壘電容
4.5 電流-電壓特性
4.6 電荷儲存與暫態回響
4.7 結擊穿
總結
參考文獻
習題
第5章 雙極型電晶體及相關器件
5.1 電晶體的工作原理
5.2 雙極型電晶體的靜態特性
5.3 雙極型電晶體的頻率回響與開關特性
5.4 異質結及相關器件
5.5 可控矽器件及相關功率器件
總結
參考文獻
習題
第6章 MOSFET及相關器件
6.1 MOS二極體
6.2 MOSFE2、基本原理
6.3 小尺寸MOSFET
6.4 CMOS與雙極型CMOS（BiCMOS）
6.5 絕緣層上MOSFET（SOI）
6.6 MOS存儲器結構
6.7 功率MOSFET
總結
參考文獻
習題
第7章 光電器件
7.1 輻射躍遷與光的吸收
7.2 發光二極體
7.3 半導體雷射
7.4 光探測器
7.5 太陽能電池
總結
參考文獻
習題
第8章 其他半導體器件
8.1 金半接觸
8.2 MESFET
8.3 MODFET的基本原理
8.4 微波二極體、量子效應和熱電子器件
總結
參考文獻
習題
第3部分 半導體工藝
第9章 積體電路工藝
9.1 基本半導體工藝技術
9.2 集成工藝
9.3 微機電系統
9.4 微電子器件的挑戰
總結
參考文獻
習題
習題參考答案
附錄A 符號表
附錄B 國際單位制（SI Units）
附錄C 單位詞頭
附錄D 物理常數
附錄E 300K時重要半導體材料的特性
附錄F 300K時矽和砷化鎵的特性
