圖書信息
作 者：（美）皮埃羅 著 黃如 等 譯 叢 書 名：出 版 社：電子工業出版社ISBN：
圖書 > 科技 > 電子與通信
內容簡介
《半導體器件基礎》是一本微電子技術方面的入門書籍，全面介紹了半導體器件的基礎知識。全書分為三個部分共19章，首先介紹了半導體基礎，講解了半導體物理方面的相關知識以及半導體製備工藝方面的基本概念。書中闡述了pn結、雙極結型電晶體（BJT）和其他結型器件的基本物理特性，並給出了相關特性的定性與定量分析。最後，作者討論了場效應器件，除了講解基礎知識之外，還分析了小尺寸器件相關的物理問題，並介紹了一些新型場效應器件。全書內容豐富、層次分明，兼顧了相關知識的深度與廣度，系統講解了解決實際器件問題所必需的分析工具，並且提供了大量利用計算機實現的練習與習題。
《半導體器件基礎》可作為微電子專業的本科生及研究生的教材或參考書，也是該領域工程技術人員的寶貴參
作者簡介
Robert F.Pierret是美國普度大學電子與計算機工程學院的教授，1970年成為普度大學的教師並管理本科生的半導體量實驗室。近年來Pierret教授在擔任電子計算機工程課程委員會主席期間，對課程建設提出了一種提高總體質量的革新方法。Pierret教授還是Addison-Wesley出版的固態器件毓叢書的策劃和其中四卷的作者。
目錄
第一部分半導體基礎
第1章半導體概要
1.1半導體材料的特性
1.1.1材料的原子構成
1.1.2純度
1.1.3結構
1.2晶體結構
1.2.1單胞的概念
1.2.2三維立方單胞
1.2.3半導體晶格
1.2.4密勒指數
1.3晶體的生長
1.3.1超純矽的獲取
1.3.2單晶矽的形成
1.4小結
習題
第2章載流子模型
2.1量子化概念
2.2半導體模型
2.2.1價鍵模型
2.2.2能帶模型
2.2.3載流子
2.2.4帶隙和材料分類
2.3載流子的特性
2.3.1電荷
2.3.2有效質量
2.3.3本徵材料內的載流子數
2.3.4載流子數的控制——摻雜
2.3.5與載流子有關的術語
2.4狀態和載流子分布
2.4.1態密度
2.4.2費米分布函式
2.4.3平衡載流子分布
2.5平衡載流子濃度
2.5.1n型和p型的公式
2.5.2n型和p型表達式的變換
2.5.3ni和載流子濃度乘積np
2.5.4電中性關係
2.5.5載流子濃度的計算
2.5.6費米能級Ep的確定
2.5.7載流子濃度與溫度的關係
2.6小結
習題
第3章載流子輸運
3.1漂移
3.1.1漂移的定義與圖像
3.1.2漂移電流
3.1.3遷移率
3.1.4電阻率
3.1.5能帶彎曲
3.2擴散
3.2.1擴散的定義與圖像
3.2.2熱探針測量法
3.2.3擴散和總電流
3.2.4擴散係數與遷移率的關係
3.3複合-產生
3.3.1複合一產生的定義與圖像
3.3.2動量分析
3.3.3 R.G統計
3.3.4少子壽命
3.4狀態方程
3.4.1連續性方程
3.4.2少子的擴散方程
3.4.3問題的簡化和解答
3.4.4解答問題
3.5補充的概念
3.5.1擴散長度
3.5.2準費米能級
3.6小結
習題
第4章器件製備基礎
4.1製備過程
4.1.1氧化
4.1.2擴散
4.1.3離子注入
4.1.4光刻
4.1.5薄膜澱積
4.1.6外延
4.2器件製備實例
4.2.1 pn結二極體的製備
4.2.2計算機CPU的工藝流程
4.3小結
第一部分補充讀物和複習
可選擇的/補充的閱讀資料列表
圖的出處/引用的參考文獻
術語複習一覽表
第一部分——複習題和答案
第二部分A pn結二極體
第5章pn結的靜電特性
5.1前言
5.1.1結的相關術語/理想雜質分布
5.1.2泊松方程
5.1.3定性解
5.1.4內建電勢（Vbi）
5.1.5耗盡近似
5.2定量的靜電關係式
5.2.1假設和定義
5.2.2VA=0條件下的突變結
5.2.3VA≠0條件下的突變結
5.2.4結果分析
5.2.5線性緩變結
5.3小結
習題
第6章pn結二極體:I-V特性
6.1理想二極體方程
6.1.1定性推導
6.1.2定量求解方案
6.1.3嚴格推導
6.1.4結果分析
6.2與理想情況的偏差
6.2.1理想理論與實驗的比較
6.2.2反向偏置的擊穿
6.2.3複合一產生電流
6.2.4VA→Vbi時的大電流現象
6.3一些需要特別考慮的因素
6.3.1電荷控制方法
6.3.2窄基區二極體
6.4小結
習題
第7章on結二極體：小信號導納
7.1引言
7.2反向偏置結電容
7.2.1基本信息
7.2.2 C-V關係
7.2.3參數提取和雜質分布
7.2.4反向偏置電導
7.3正向偏置擴散導納
7.3.1基本信息
7.3.2導納關係式
7.4小結
習題
第8章pn結二極體：瞬態回響
8.1瞬態關斷特性
8.1.1引言
8.1.2定性分析
8.1.3存貯延遲時間
8.1.4總結
8.2瞬態開啟特性
8.3小結
習題
第9章光電二極體
第二部分B BJT和其他結型器件
第10章BJT 基礎知識
第11章BJT靜態特性
第12章BJT動態回響模型
第13章PNPN器件
第14章MS接觸和肖特基二極體
第二部分補充讀物和複習
可選擇的/補充的閱讀資料列表
圖的出處 / 引用的參考文獻
術語複習一覽表
第二部分—複習題和答案
第三部分場效應器件
第15章場效應導言—J-FET和MESFET
第16章MOS結構基礎
第17章MOSFET器件基礎
第18章非理想MOS
第19章現代場效應管結構
第三部分補充讀物和複習
可選擇的/補充的閱讀資料列表
圖的出處/引用的參考文獻
術語複習一覽表
第三部分—複習題和答案
附錄A量子力學基礎
附錄BMOS半導體靜電特性—精確解
附錄CMOS C -V補充
附錄dmos I -V補充
附錄E符號表
附錄FMATLAB程式原始碼
前言
2001年7月間，電子工業出版社的領導同志邀請各高校十幾位通信領域方面的老師，商量引進國外教材問題。與會同志對出版社提出的計畫十分贊同，大家認為，這對我國通信事業、特別是對高等院校通信學科的教學工作會很有好處。
