介紹
公司還從事先進紅外材料的開發研製工作，包括大尺寸的CVD ZnS、CVD ZnSe、CVD GaP、藍寶石材料等。材料的精加工、鍍膜也具備一定的實力並在不斷的研究改進中。
發展歷程
有色金屬工業實驗所鍺製取研究組
◇ 1956年初 成立金屬鍺製取研究組。
◇ 1956年6月 研製出我國第一顆金屬鍺。填補了我國鍺的空白。
◇ 1958年6月 研製出我國第一根從原材料到單晶全部自產的鍺單晶。
◇ 1960年 研製成功組分均勻可控的鍺稼合金球。
◇ 1964年 建成我國第一個高純鍺車間。在我國最早形成高純鍺的批量生產能力；用直拉法製成多種規格的摻金鍺單晶。
◇ 1966年 研製成功直徑在50mm-60mm鋰補償型探測器用鍺單晶，達到國際同類產品水平。
◇ 1973年 成功研製出我國第一個平面型高純鍺核探測器，其能量解析度接近國際同類產品水平。
◇ 1977年 建成國內第一條光纖用四氯化鍺生產線。
◇ 1979年 研製成功紅外用鍺單晶，直徑達280mm，達國際先進水平並出口。
北京有色金屬研究總院紅外材料研究所
◇ 1983年 鍺製取研究組整體更名為北京有色金屬研究院紅外材料研究所。成立冶金系統半導體鍺材料檢測中心，負責起草了鍺產品及檢測方法和國家行業標準12項。
◇ 1985年 研製成功羥基共基鍺倍半氧化物（Ge-132）產品質量達日本同類產品水平。
◇ 1989年 光纖用四氯化鍺獲中國有色院工業總公司科技進步三等獎。
◇ 1992年 研製成功透過1-15μm波段硫系含鍺玻璃，達到國際水平。
◇ 1994年 紅外用大直徑成型多晶鍺獲中國有色金屬工業總公司科技進步二等獎；有機鍺（Be-132）通過中國有色金屬工業總公司科學技術成果鑑定。
鍺分廠
◇ 1999年3月 紅外材料研究所整體併入有研半導體材料股份有限公司。更名為有研半導體材料股份有限公司鍺分廠。
北京國晶輝紅外光學科技有限公司
◇ 2000年6月 整體改制為北京國晶輝紅外光學科技有限公司。
◇ 2002年 研製成功我國第一根12英寸鍺單晶；承接國家發展計畫委員會批准的《國家高技術產業化新材料專項新一代光纖用高純四氯化鍺高技術產業化示範工程項目》，研製成功Ø180mmCVDZnS。
◇2003年 研製成功CVD ZnS並建成生產線。
◇2004年 紅外光學鍍膜技術開發成功。
◇2005年 新建300m2 廠房竣工。產品通過ISO 9000 質量體系認證。
◇2006年 GeCl4 生產線擴產，產能達到40噸/年。
組織機構
總經理辦公室、財務部、採購部、市場部、銷售部、質量管理部、科研管理部、鍺晶體生產部、高純化學品部等。
企業文化
企業精神：精於技術，勇於創新，善於合作，樂於奉獻。
核心理念： 光電材料，您成功的基石!
企業願景： 成為世界光電材料領域的知名供應商之一。
