功率靜電感應電晶體
正文
一種短溝道的功率場效應電晶體。簡稱 SIT。為區別起見, 一般不把它歸入功率場效應電晶體類。SIT通常採用 n溝道的結型場效應結構。圖1為這種SIT的符號,G、D、S分別代表柵極、漏極和源極。
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SIT是介於雙極型功率電晶體(GTR)與功率場效應電晶體(功率MOSFET)之間的器件(性能方面更接近後者),其開關頻率可在1MHz以上(可達100MHz),80年代中期其容量已有10A/800V,和功率MOSFET差不多,適用於數千瓦以下的電力電子裝置上。
雖然SIT的概念早在1950年就被提出,功率SIT器件直至 70年代末方出現。SIT的工作電流密度要大於功率MOSFET,且其製造工藝也比後者容易,因而是一種很有前途的器件,有希望發展成100A/1000V級的大容量高頻器件。
另外,若將圖2中的SIT漏極的n型高摻雜半導體換成p型半導體,則器件變成靜電感應晶閘管(又稱場控晶閘管),簡稱SITH。它的工作電流密度及容量遠比SIT高,可達門極可關斷晶閘管(GTO)的水平,其開關性能(尤其是開通速度)則優於GTO,是80年代出現的性能最優的大容量電力電子器件之一。