靜電感應晶閘管

靜電感應晶閘管是在SIT的結構基礎上又增加了一個PN結，在內部多了1個三極體，2個電晶體構成一個晶閘管，因此也稱為雙極靜電感應晶閘管BSITH。由於它比SIT多一個具有注入功能的PN結，所以屬於2種載流子導電的雙極型器件。SITH有3個電極，即門極G、陽極A和陰極K。它有通態電阻小、通態壓降低、開關速度快、損耗小以及開通的電流增益大等優點。但製造工藝較複雜，電流關斷增益輕小，因此有待於再開發。

靜電感應晶閘管SITH（Static Induction Thyristor）誕生於1972年，是在SIT的漏極層上附加一層與漏極層導電類型不同的發射極層而得到的。因為其工作原理也與SIT類似，門極和陽極電壓均能通過電場控制陽極電流，因此SITH又被稱為場控晶閘管（Field Controlled Thyristor--FCT)。由於比SIT多了一個具有少子注入功能的PN結，因而SITH是兩種載流子導電的雙極型器件，具有電導調製效應，通態壓降低、通流能力強。其很多特性與GTO類似，但開關速度比GTO高得多，是大容量的快速器件。

SITH一般也是正常導通型，但也有正常關斷型。此外，其製造工藝比GTO複雜得多，電流關斷增益較小，因而其套用範圍還有待拓展。