見圖示,這種結構的MOSFET就是把柵極設定在刻蝕出來的凹溝里。
這種MOSFET的優點在於使等效的源和漏的結深減小,短溝道效應得以減弱。
這種結構的缺點在於:對閾值電壓的控制比較困難(因為閾值電壓主要決定於A和B點處的形狀和層的厚度),而且熱電子注入到SiO2中的可能性增加了(熱電子效應導致的失效率增大)。
凹溝MOSFET(Recessed-chann 凹溝MOSFET的結構見圖示,這種結構的MOSFET就是把柵極設定在刻蝕出來的凹溝里。 這種MOSFET的優點在於使等效的源和漏的結深減小,短溝道效應得以減弱。