掩膜版分類
掩膜版有兩種：一種是在塗有普通乳膠的照相干版上，依據掩模原圖，用照相方法製成的；另一種是在鍍有一薄層金屬（通常為鉻）的玻璃版上，用光刻法在金屬層上刻蝕出所需圖形而製成的。為了使每塊矽片能同時製作幾十至幾千個管芯或電路，掩模版上相應有幾十至幾千個規則地重複排列的同一圖形。每個圖形之間具有一定的間隔，以便制好管芯或電路後進行劃片分割。製作一種平面電晶體或積體電路，需要有一組（幾塊至十幾塊）可以相互精確套刻的掩模版。對掩版的基夲求是：精度高、套刻準、反差強和酎磨損。
光刻掩模製作
在平面電晶體和積體電路的製造過程中，要進行多次光刻。為此，必須製備一組具有特定幾何圖形的光刻掩模。製版的任務就是根據電晶體和積體電路參數所要求的幾何圖形，按照選定的方法，製備出生產上所要求的尺寸和精度的掩模圖案，並以一定的間距和布局，將圖案重複排列於掩模基片上，進而複製批量生產用版，供光刻工藝曝光之用。
光刻工藝對掩膜版的質量要求
（1）圖形尺寸準確，符合設計要求，且不發生畸變。
（2）應有一定數量完全相同的圖形，整套掩模版中的各次版應能依次一一套住，套準誤差應儘量小。
（3）圖形黑白域之間的反差要高，一般要求在2.5以上。
（4）圖形邊緣應光滑，無毛刺，過渡區要小（即“黑區”應儘可能陡直地過渡到“透明區”）。
（5）版面平整、光潔、無針孔、劃痕和小島。
（6）版面堅固耐用，不易變形。
