簡介
亞閾值擺幅（Subthreshold swing）， 又稱為S因子。這是MOSFET在亞閾狀態工作時、用作為邏輯開關時的一個重要參數，它定義為：
亞閾值擺幅單位是[mV/dec]。S在數值上就等於為使漏極電流I變化一個數量級時所需要的柵極電壓增量ΔV。
算法
亞閾值擺幅
亞閾值擺幅
亞閾值擺幅其中 為熱電壓， 被稱為體因子，由η表示。ψ是表面勢，即V與柵氧化層電壓之差。
影響因素
S值與器件結構和溫度等有關：襯底反向偏壓將使表面耗盡層電容CD減小，則S值減小；界面陷阱的存在將增加一個與CD並聯的陷阱容，使S值增大；溫度升高時，S值也將增大。為了提高MOSFET的亞閾區工作速度，就要求S值越小越好，為此應當對MOSFET加上一定的襯偏電壓和減小界面陷阱。
室溫條件下（T=300k），MOS型器件S的理論最小值為（KT/q）ln10=59.6mV/dec≈60 mV/dec，但一些新型器件，如隧穿器件（Tunneling Transistor），可以獲得低於此理論值的亞閾值擺幅。
在大規模數字積體電路的縮小規則中，恆定電壓縮小規則、恆定電場縮小規則等都不能減小S值，所以這些縮小規則都不適用，只有採用半經驗的恆定亞閾特性縮小規則才比較合理。
