RSD (Reverse Switched-on Dynistor) 全稱：“大功率超高速半導體反向開關電晶體”，是上世紀80年代由前蘇聯約菲物理研究所的I. V. Grekhov等人利用可控等離子層換流原理首先提出的新結構器件。RSD具有耐壓高、大電流、高di/dt、串聯無需均壓、長壽命以及較高重複率等優點，與MOSFET、IGBT、IGCT、SOS等其他半導體開關相比具有更大的通流能力，它是一種可實現數十至數百kA大電流、數十kV高電壓、微/納秒級開通三者完美統一的新型開關。
