ITO導電膜

ITO導電膜

ITO導電膜是指採用磁控濺射的方法,在透明有機薄膜材料上濺射透明氧化銦錫(ITO)導電薄膜鍍層並經高溫退火處理得到的高技術產品。ITO導電膜是指採用磁控濺射的方法(ITO 薄膜的製備方法有蒸發、濺射、反應離子鍍、化學氣相沉積、熱解噴塗等, 但使用最多的是反應磁控濺射法),在透明有機薄膜材料上濺射透明氧化銦錫(ITO)導電薄膜鍍層並經高溫退火處理得到的高技術產品。一般來說,在相同的工藝條件和性能相同的PET基底材料的情況下,ITO膜層越厚,PET-ITO膜的表面電阻越小,光透過率也相應的越小。

簡介

ITO導電膜是指採用磁控濺射的方法(ITO 薄膜的製備方法有蒸發、濺射、反應離子鍍、化學氣相沉積、熱解噴塗等, 但使用最多的是反應磁控濺射法),在透明有機薄膜材料上濺射透明氧化銦錫(ITO)導電薄膜鍍層並經高溫退火處理得到的高技術產品。ITO膜層的厚度不同,膜的導電性能和透光性能也不同。一般來說,在相同的工藝條件和性能相同的PET基底材料的情況下,ITO膜層越厚,PET-ITO膜的表面電阻越小,光透過率也相應的越小。

PET-ITO導電膜參數

高阻抗ITO導電膜(PET-ITO)

高阻抗ITO導電薄膜PET-ITO主要套用於移動通訊領域的觸控螢幕生產。

產品參數:

面 電阻:300~500 Ω/□

面電阻均勻性:MD≤±3%,TD≤±6%

薄膜厚度:0.188±10%

線性度(MD):≤1.5%

全光線透過率:≥86%

表面硬度(鉛筆硬度):≥3H

熱穩定性:(R-R0)/R: ±20%

熱收縮率:MD≤1.0%,TD≤0.8%

加熱捲曲:≤10mm

低阻抗ITO導電膜(PET-ITO)

低阻抗ITO導電膜可用於對導電性能要求比較高的領域,如:用於薄膜太陽能電池的透明 電極、電致變色器件的電極材料、薄膜開關等領域。

產品參數:

薄膜厚度:0.175±10 mm

霧度:<2%

寬度:406/360±2 mm

粘附:100/100

捲曲:≤10 mm

透過率:≥ 80%

表面電阻:90±15 Ω/□

面電阻均勻性:<7%

熱收縮:MD≤1.3,TD≤1.0

熱穩定性:

高溫:80oC,120hr ≤1.3

低溫:-40oC,120hr ≤1.3

熱循環:-30oC—80oC ≤1.3

熱/濕度: 60oC, 90% RH,120hr ≤1.3

展覽會

2014 第十三屆深圳國際觸控螢幕展覽會

時間:2014年11月25日—27日

地點:深圳會展中心

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